Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: SBMICRO/EFEI
- Local: Itajubá
- Data de publicação: 1997
- Fonte:
- Título: Proceedings
- Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 13 jun. 2025. -
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 jun. 13 ] -
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 jun. 13 ] - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
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