Tese

Considerações para o projeto de células de memória SI com transístores HEMT (1997)

• Autores:
  • Lasso Vásquez, Jaime Hernando
  • Charry Rodriguez, Edgar (Orientador)
• Autor USP: VÁSQUEZ, JAIME HERNANDO LASSO - EP
• Unidade: EP
• Sigla do Departamento: PEE
• Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
• Idioma: Português
• Resumo: O estado da arte do projeto de circuitos integrados analógicos está recebendo um tremendo impulso da aplicação do processamento analógico a modo corrente e, em particular, de uma técnica analógica discreta alternativa, conhecida como Corrente-Chaveada. Sendo que a célula de memória em corrente chaveada (célula SI) é o bloco fundamental desta técnica, suas características (precisão, velocidade, potência) determinaram o desempenho dos sistemas SI. Na procura de células SI de alto desempenho, este trabalho apresenta, inicialmente, as principais características das células SI com dispositivos HEMT, (High Electron Mobility Transistor) baseando-se na pesquisa desenvolvida para células SI com MOS. É realizada uma análise simples da injeção de carga e do clock feed through para uma chave HEMT, obtendo-se expressões analíticas simples da tensão de erro induzida num capacitor sem considerar nenhuma técnica de compensação e empregando a técnica de compensação dummy. Os resultados obtidos das expressões analíticas são comparados com as tensões de erro obtidas por simulação, confirmando a validade dessa análise e a similaridade com as expressões para chaves MOS. São apresentadas as condições e limitações do projeto de células SI e resultados de simulação das células SI simples e cascode regulada com dispositivos HEMT utilizando o programa IAFSPICE. Sendo que a célula SI cascode regulada foi a de melhor desempenho. A célula SI aqui projetada do tipo cascoderegulada com transistores HEMT para uma frequência de chaveamento de 500Mhz, mostrou um erro da tensão dreno-forte de 'M IND.r', 'delta'VdsI, de zero. A tensão porta-fonte apresentou boa compensação, e seu erro, 'delta'VgsI, foi menor que 10 mV (um erro razoável). O erro na corrente, 'delta'I, foi da ordem de nA
• Imprenta:
  • Local: São Paulo
  • Data de publicação: 1997
• Data da defesa: 23.09.1997

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Como citar

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• ABNT

  LASSO VÁSQUEZ, Jaime Hernando. Considerações para o projeto de células de memória SI com transístores HEMT. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 19 abr. 2024.

• APA

  Lasso Vásquez, J. H. (1997). Considerações para o projeto de células de memória SI com transístores HEMT (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

• NLM

  Lasso Vásquez JH. Considerações para o projeto de células de memória SI com transístores HEMT. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ]

• Vancouver

  Lasso Vásquez JH. Considerações para o projeto de células de memória SI com transístores HEMT. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ]

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