Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso (1993)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS); MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: Sao Paulo
- Date published: 1993
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
BASMAJI, Pierre; ROSSI, J C; GRIVICKAS, V; et al. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. -
APA
Basmaji, P., Rossi, J. C., Grivickas, V., Surdutovich, G., Vitlina, R., Kolenda, J., et al. (1993). Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Basmaji P, Rossi JC, Grivickas V, Surdutovich G, Vitlina R, Kolenda J, Matvienko B, Bernussi AA. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Programa e Resumos. 1993 ; -
Vancouver
Basmaji P, Rossi JC, Grivickas V, Surdutovich G, Vitlina R, Kolenda J, Matvienko B, Bernussi AA. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Programa e Resumos. 1993 ; - Growth and transport properties of 'IN''SB' on 'GA''AS' by molecular beam epitaxy
- Highlights and selected aspects of the development of molecular beam epitaxy: perspective and future directions
- Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings
- Magnetic-field-tuned impurity level in a mesoscopic 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' antidot sample
- Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy
- Magnetic field -induced localization in a two-dimensional array of quantum dots
- Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon
- Diode based on the 2d electron gas in an artificial, strongly disordered potential
- Surface phonon and 'E IND.1' gap shift observe in 'IN''AS' wire crystals on porous 'SI'
- Charge transfer between percolation levels in a system with an artificial , strongly disordered potential
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