Estudo da formacao de filmes finos de di-siliceto de cobalto (1990)
- Authors:
- Autor USP: FREITAS, WILSON JOSE DE - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Foi estudada a formacao de di-siliceto de cobalto ('CO''SI IND.2') a partir da deposicao do metal por pulverizacao catodica sobre um substrato de silicio monocristalino pouco dopado, seguido de recozimento em equipamento para processamento termico rapido. Foi apresentado um estudo da sequencia de fases formadas atraves de recozimentos em varias temperaturas. Obteve-se a formacao de 'CO''SI IND.2' uniforme e de baixa resistividade ('ANTIND.16 MI' 52cm) de rtp a 700'GRAUS'c por 12 segundos. A deposicao reativa de cobalto mostrou que a quantidade de impurezas no filme de cobalto pode ser expulsa, inibir ou acelerar a reacao dependendo de sua concentracao. A otimizacao da tecnica de deposicao permitiu produzir filmes de di-siliceto de cobalto no lsi da epusp com caracteristicas comparaveis aquelas reportadas na literatura internacional.
- Imprenta:
- Data da defesa: 17.09.1990
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ABNT
FREITAS, Wilson José. Estudo da formacao de filmes finos de di-siliceto de cobalto. 1990. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1990. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Freitas, W. J. (1990). Estudo da formacao de filmes finos de di-siliceto de cobalto (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Freitas WJ. Estudo da formacao de filmes finos de di-siliceto de cobalto. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Freitas WJ. Estudo da formacao de filmes finos de di-siliceto de cobalto. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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