Hole transport characteristics in pure and doped GaSb (2001)
Messias, L G O; Marega Junior, Euclydes 
Fonte: Program and abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MESSIAS, L G O e MAREGA JUNIOR, Euclydes. Hole transport characteristics in pure and doped GaSb. 2001, Anais.. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 23 nov. 2025.APA
Messias, L. G. O., & Marega Junior, E. (2001). Hole transport characteristics in pure and doped GaSb. In Program and abstracts. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.NLM
Messias LGO, Marega Junior E. Hole transport characteristics in pure and doped GaSb. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2025 nov. 23 ]Vancouver
Messias LGO, Marega Junior E. Hole transport characteristics in pure and doped GaSb. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2025 nov. 23 ]
