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Muito além da ficção [Depoimento a Eloiza Strachicini] (2012)
Gazziro, Mario Alexandre
Fonte: Kappa Magazine. Unidade: ICMC
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIBERNÉTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GAZZIRO, Mario Alexandre. Muito além da ficção [Depoimento a Eloiza Strachicini]. Kappa Magazine. São Carlos: Instituto de Ciências Matemáticas e de Computação, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 14 nov. 2025. , 2012
APA
Gazziro, M. A. (2012). Muito além da ficção [Depoimento a Eloiza Strachicini]. Kappa Magazine. São Carlos: Instituto de Ciências Matemáticas e de Computação, Universidade de São Paulo.
NLM
Gazziro MA. Muito além da ficção [Depoimento a Eloiza Strachicini]. Kappa Magazine. 2012 ; 3( 26): 56-58.[citado 2025 nov. 14 ]
Vancouver
Gazziro MA. Muito além da ficção [Depoimento a Eloiza Strachicini]. Kappa Magazine. 2012 ; 3( 26): 56-58.[citado 2025 nov. 14 ]
Trabalho de evento
Low-Frequency noise behaviour of bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiaton (2012)
Caño de Andrade, Maria Glória; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Proceedings of the conference. Nome do evento: International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
CAÑO DE ANDRADE, Maria Glória et al. Low-Frequency noise behaviour of bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiaton. 2012, Anais.. Piscataway: IEEE, 2012. . Acesso em: 14 nov. 2025.
APA
Caño de Andrade, M. G., Martino, J. A., Aoulaiche, M., Collaert, N., Simoen, E., & Claeys, C. (2012). Low-Frequency noise behaviour of bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiaton. In Proceedings of the conference. Piscataway: IEEE.
NLM
Caño de Andrade MG, Martino JA, Aoulaiche M, Collaert N, Simoen E, Claeys C. Low-Frequency noise behaviour of bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiaton. Proceedings of the conference. 2012 ;[citado 2025 nov. 14 ]
Vancouver
Caño de Andrade MG, Martino JA, Aoulaiche M, Collaert N, Simoen E, Claeys C. Low-Frequency noise behaviour of bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiaton. Proceedings of the conference. 2012 ;[citado 2025 nov. 14 ]
Trabalho de evento
The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures (2012)
Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio ; Santos, S; Almeida, L; Aoulaiche, Marc; Veloso, A; Jurczak, Michael J; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Proceedings of the conference. Nome do evento: International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
NICOLETTI, Talitha et al. The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures. 2012, Anais.. Piscataway: IEEE, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193372. Acesso em: 14 nov. 2025.
APA
Nicoletti, T., Martino, J. A., Santos, S., Almeida, L., Aoulaiche, M., Veloso, A., et al. (2012). The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures. In Proceedings of the conference. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/ULIS.2012.6193372
NLM
Nicoletti T, Martino JA, Santos S, Almeida L, Aoulaiche M, Veloso A, Jurczak MJ, Simoen E, Claeys C. The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures [Internet]. Proceedings of the conference. 2012 ;[citado 2025 nov. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193372
Vancouver
Nicoletti T, Martino JA, Santos S, Almeida L, Aoulaiche M, Veloso A, Jurczak MJ, Simoen E, Claeys C. The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures [Internet]. Proceedings of the conference. 2012 ;[citado 2025 nov. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193372
Dissertação (Mestrado)
Análise crítica da rota tecnológica adotada no desenvolvimento de equipamento sinalizador de faltas para redes aéreas de distribuição de energia elétrica (2012)
Andrade, Fábio José de; Santos, Josemir Coelho (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: DISTRIBUIÇÃO DE ENERGIA ELÉTRICA, PROJETOS DE PRODUTOS, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
ANDRADE, Fábio José de. Análise crítica da rota tecnológica adotada no desenvolvimento de equipamento sinalizador de faltas para redes aéreas de distribuição de energia elétrica. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06062013-171059/. Acesso em: 14 nov. 2025.
APA
Andrade, F. J. de. (2012). Análise crítica da rota tecnológica adotada no desenvolvimento de equipamento sinalizador de faltas para redes aéreas de distribuição de energia elétrica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06062013-171059/
NLM
Andrade FJ de. Análise crítica da rota tecnológica adotada no desenvolvimento de equipamento sinalizador de faltas para redes aéreas de distribuição de energia elétrica [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06062013-171059/
Vancouver
Andrade FJ de. Análise crítica da rota tecnológica adotada no desenvolvimento de equipamento sinalizador de faltas para redes aéreas de distribuição de energia elétrica [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06062013-171059/
Trabalho de evento
Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices (2012)
Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc; Sasaki, Kátia Regina Akemi; Nicoletti, Talitha; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Jurczak, Michael J
Fonte: Proceedings of the conference. Nome do evento: International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALMEIDA, Luciano Mendes et al. Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices. 2012, Anais.. Piscataway: IEEE, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193357. Acesso em: 14 nov. 2025.
APA
Almeida, L. M., Martino, J. A., Aoulaiche, M., Sasaki, K. R. A., Nicoletti, T., Collaert, N., et al. (2012). Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices. In Proceedings of the conference. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/ULIS.2012.6193357
NLM
Almeida LM, Martino JA, Aoulaiche M, Sasaki KRA, Nicoletti T, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Jurczak MJ. Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices [Internet]. Proceedings of the conference. 2012 ;[citado 2025 nov. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193357
Vancouver
Almeida LM, Martino JA, Aoulaiche M, Sasaki KRA, Nicoletti T, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Jurczak MJ. Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices [Internet]. Proceedings of the conference. 2012 ;[citado 2025 nov. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193357

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