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Trabalho de evento
A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density (2001)
Toquetti, Leandro Zeidan; Nogueira, Willian Aurélio; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: SBMicro 2001: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan e NOGUEIRA, Willian Aurélio e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 14 nov. 2025.
APA
Toquetti, L. Z., Nogueira, W. A., & Santos Filho, S. G. dos. (2001). A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Toquetti LZ, Nogueira WA, Santos Filho SG dos. A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 14 ]
Vancouver
Toquetti LZ, Nogueira WA, Santos Filho SG dos. A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 14 ]
Artigo de periodico
Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2000)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, n. 16, 2000Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf. Acesso em: 14 nov. 2025.
APA
Toquetti, L. Z., & Santos Filho, S. G. dos. (2000). Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, (16). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf
NLM
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2000 ;(16):[citado 2025 nov. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf
Vancouver
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2000 ;(16):[citado 2025 nov. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf
Trabalho de evento
A new experimental procedure to obtain the refractive index of MOS gate oxynitrides grown by RTP in N2O atmosphere (2000)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: SBMicro 2000: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. A new experimental procedure to obtain the refractive index of MOS gate oxynitrides grown by RTP in N2O atmosphere. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 14 nov. 2025.
APA
Toquetti, L. Z., & Santos Filho, S. G. dos. (2000). A new experimental procedure to obtain the refractive index of MOS gate oxynitrides grown by RTP in N2O atmosphere. In SBMicro 2000: proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. A new experimental procedure to obtain the refractive index of MOS gate oxynitrides grown by RTP in N2O atmosphere. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 14 ]
Vancouver
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. A new experimental procedure to obtain the refractive index of MOS gate oxynitrides grown by RTP in N2O atmosphere. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 14 ]

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