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Dissertação (Mestrado)
Estudo sobre distribuição de cargas em semicondutores sujeitos a radiação ionizante (2017)
Aguirre, Fernando Rodrigues; Tabacniks, Manfredo Harri (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: RADIAÇÃO IONIZANTE, SEMICONDUTORES, FÍSICA EXPERIMENTAL, RADIAÇÃO IONIZANTE
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ABNT
AGUIRRE, Fernando Rodrigues. Estudo sobre distribuição de cargas em semicondutores sujeitos a radiação ionizante. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13032017-113040/. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Aguirre, F. R. (2017). Estudo sobre distribuição de cargas em semicondutores sujeitos a radiação ionizante (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13032017-113040/
NLM
Aguirre FR. Estudo sobre distribuição de cargas em semicondutores sujeitos a radiação ionizante [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13032017-113040/
Vancouver
Aguirre FR. Estudo sobre distribuição de cargas em semicondutores sujeitos a radiação ionizante [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13032017-113040/
Relatorio tecnico
Vacancy in graphene: insight on magnetic properties from theoretical modeling (2017)
Valencia, A. M.; Caldas, Marilia Junqueira
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
VALENCIA, A. M. e CALDAS, Marilia Junqueira. Vacancy in graphene: insight on magnetic properties from theoretical modeling. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1704.01906. Acesso em: 03 ago. 2024. , 2017
APA
Valencia, A. M., & Caldas, M. J. (2017). Vacancy in graphene: insight on magnetic properties from theoretical modeling. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1704.01906
NLM
Valencia AM, Caldas MJ. Vacancy in graphene: insight on magnetic properties from theoretical modeling [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1704.01906
Vancouver
Valencia AM, Caldas MJ. Vacancy in graphene: insight on magnetic properties from theoretical modeling [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1704.01906
Artigo de periodico
Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene (2017)
Padilha, J. E.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antônio José Roque da
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
PADILHA, J. E. et al. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, n. 19, p. 195143, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Padilha, J. E., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2017). Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, 95( 19), 195143. doi:10.1103/PhysRevB.95.195143
NLM
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143
Vancouver
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143
Artigo de periodico
Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems (2017)
Luengo-Kovac, M; Moraes, Flávio Campopiano Dias de; Ferreira Junior, Gerson; Ribeiro, Amina Solano Lopes; Gusev, Guennadii Michailovich; Bakarov, A K; Sih, V; Gonzalez Hernandez, Felix Guillermo
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SPINTRÔNICA
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ABNT
LUENGO-KOVAC, M et al. Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems. Physical Review B, v. 95, n. 24, p. 245315/1-245315/6, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.245315. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Luengo-Kovac, M., Moraes, F. C. D. de, Ferreira Junior, G., Ribeiro, A. S. L., Gusev, G. M., Bakarov, A. K., et al. (2017). Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems. Physical Review B, 95( 24), 245315/1-245315/6. doi:10.1103/PhysRevB.95.245315
NLM
Luengo-Kovac M, Moraes FCD de, Ferreira Junior G, Ribeiro ASL, Gusev GM, Bakarov AK, Sih V, Gonzalez Hernandez FG. Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 24): 245315/1-245315/6.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.245315
Vancouver
Luengo-Kovac M, Moraes FCD de, Ferreira Junior G, Ribeiro ASL, Gusev GM, Bakarov AK, Sih V, Gonzalez Hernandez FG. Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 24): 245315/1-245315/6.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.245315
Artigo de periodico
Faraday rotation by the undisturbed bulk and by photoinduced giant polarons in 'EU''TE' (2017)
Henriques, André Bohomoletz; Usachev, P A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz e USACHEV, P A. Faraday rotation by the undisturbed bulk and by photoinduced giant polarons in 'EU''TE'. Physical Review B, v. no 2017, n. 19, p. 195210, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.195210. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Henriques, A. B., & Usachev, P. A. (2017). Faraday rotation by the undisturbed bulk and by photoinduced giant polarons in 'EU''TE'. Physical Review B, no 2017( 19), 195210. doi:10.1103/PhysRevB.96.195210
NLM
Henriques AB, Usachev PA. Faraday rotation by the undisturbed bulk and by photoinduced giant polarons in 'EU''TE' [Internet]. Physical Review B. 2017 ; no 2017( 19): 195210.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.195210
Vancouver
Henriques AB, Usachev PA. Faraday rotation by the undisturbed bulk and by photoinduced giant polarons in 'EU''TE' [Internet]. Physical Review B. 2017 ; no 2017( 19): 195210.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.195210
Relatorio tecnico
Importance of van der Waals interaction on structural, vibrational, and thermodynamics properties of 'NA''CL' (2017)
Marcondes, Michel L.; Wentzcovitch, Renata M.; Assali, L. V. C.
Unidade: IF
Subjects: SPINTRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARCONDES, Michel L. e WENTZCOVITCH, Renata M. e ASSALI, L. V. C. Importance of van der Waals interaction on structural, vibrational, and thermodynamics properties of 'NA''CL'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1711.02630. Acesso em: 03 ago. 2024. , 2017
APA
Marcondes, M. L., Wentzcovitch, R. M., & Assali, L. V. C. (2017). Importance of van der Waals interaction on structural, vibrational, and thermodynamics properties of 'NA''CL'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1711.02630
NLM
Marcondes ML, Wentzcovitch RM, Assali LVC. Importance of van der Waals interaction on structural, vibrational, and thermodynamics properties of 'NA''CL' [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1711.02630
Vancouver
Marcondes ML, Wentzcovitch RM, Assali LVC. Importance of van der Waals interaction on structural, vibrational, and thermodynamics properties of 'NA''CL' [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1711.02630
Tese (Doutorado)
Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho (2017)
Claro, Marcel Santos; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, POÇOS QUÂNTICOS, FOTODETECTORES, INFRAVERMELHO, SEMICONDUTORES
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ABNT
CLARO, Marcel Santos. Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02082017-153952/. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Claro, M. S. (2017). Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02082017-153952/
NLM
Claro MS. Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02082017-153952/
Vancouver
Claro MS. Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02082017-153952/
Relatorio tecnico
A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond (2017)
Lucatto, Bruno; Pela, Ronaldo Rodrigues; Marques, Marcelo; Teles, Lara K.; Assali, L. V. C.
Unidade: IF
Subjects: SPINTRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LUCATTO, Bruno et al. A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1705.10644. Acesso em: 03 ago. 2024. , 2017
APA
Lucatto, B., Pela, R. R., Marques, M., Teles, L. K., & Assali, L. V. C. (2017). A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1705.10644
NLM
Lucatto B, Pela RR, Marques M, Teles LK, Assali LVC. A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1705.10644
Vancouver
Lucatto B, Pela RR, Marques M, Teles LK, Assali LVC. A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1705.10644
Artigo de periodico
Influence of impurities on the radiation response of the 'TL''BR' semiconductor Crystal (2017)
Santos, Robinson Alves dos; Mesquita, Carlos Henrique de; Silva, Júlio Batista Rodrigues da; Ferraz, Caue de Melo; Costa, Fabio Eduardo da; Martins, João Francisco Trencher; Gennari, Roseli Fernandes; Hamada, Margarida Mizue
Source: Advances in Materials Science and Engineering. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA DE MASSA, DETETORES RADIOATIVOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Robinson Alves dos et al. Influence of impurities on the radiation response of the 'TL''BR' semiconductor Crystal. Advances in Materials Science and Engineering, v. 2017, p. 1750517/1-1750517/10, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1155/2017/1750517. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Santos, R. A. dos, Mesquita, C. H. de, Silva, J. B. R. da, Ferraz, C. de M., Costa, F. E. da, Martins, J. F. T., et al. (2017). Influence of impurities on the radiation response of the 'TL''BR' semiconductor Crystal. Advances in Materials Science and Engineering, 2017, 1750517/1-1750517/10. doi:10.1155/2017/1750517
NLM
Santos RA dos, Mesquita CH de, Silva JBR da, Ferraz C de M, Costa FE da, Martins JFT, Gennari RF, Hamada MM. Influence of impurities on the radiation response of the 'TL''BR' semiconductor Crystal [Internet]. Advances in Materials Science and Engineering. 2017 ; 2017 1750517/1-1750517/10.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1155/2017/1750517
Vancouver
Santos RA dos, Mesquita CH de, Silva JBR da, Ferraz C de M, Costa FE da, Martins JFT, Gennari RF, Hamada MM. Influence of impurities on the radiation response of the 'TL''BR' semiconductor Crystal [Internet]. Advances in Materials Science and Engineering. 2017 ; 2017 1750517/1-1750517/10.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1155/2017/1750517
Artigo de periodico
Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE' (2017)
Henriques, André Bohomoletz; Naupa Roque, Alexander Raul; Usachev, P A; Pavlov, V V; Rappl, P H O; Abramof, Eduardo
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE'. Physical Review B, v. 95, n. 4, p. 045205/1-045205/7, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.045205. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Henriques, A. B., Naupa Roque, A. R., Usachev, P. A., Pavlov, V. V., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2017). Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE'. Physical Review B, 95( 4), 045205/1-045205/7. doi:10.1103/PhysRevB.95.045205
NLM
Henriques AB, Naupa Roque AR, Usachev PA, Pavlov VV, Rappl PHO, Abramof E. Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE' [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 4): 045205/1-045205/7.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.045205
Vancouver
Henriques AB, Naupa Roque AR, Usachev PA, Pavlov VV, Rappl PHO, Abramof E. Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE' [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 4): 045205/1-045205/7.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.045205
Artigo de periodico
General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond (2017)
Lucatto, Bruno; Pela, Ronaldo Rodrigues; Marques, Marcelo; Teles, Lara K; Assali, L. V. C.
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LUCATTO, Bruno et al. General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond. PHYSICAL REVIEW B, v. 96, n. 7, p. 075145, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.075145. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Lucatto, B., Pela, R. R., Marques, M., Teles, L. K., & Assali, L. V. C. (2017). General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond. PHYSICAL REVIEW B, 96( 7), 075145. doi:10.1103/PhysRevB.96.075145
NLM
Lucatto B, Pela RR, Marques M, Teles LK, Assali LVC. General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 96( 7): 075145.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.075145
Vancouver
Lucatto B, Pela RR, Marques M, Teles LK, Assali LVC. General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 96( 7): 075145.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.075145
Artigo de periodico
Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors (2017)
Claro, M. S.; Fernandes, F. M.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, Alain Andre
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CLARO, M. S. et al. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors. Superlattices and Microstructures, v. 104, p. 232-239, 2017Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via*3Dihub. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Claro, M. S., Fernandes, F. M., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2017). Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors. Superlattices and Microstructures, 104, 232-239. doi:10.1016/j.spmi.2017.02.015
NLM
Claro MS, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 232-239.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via*3Dihub
Vancouver
Claro MS, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 232-239.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via*3Dihub
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18 (2017)
Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur); Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez (cur); Gusev, Gennady (cur); Egues, José Carlos (cur); Caldas, Marília Junqueira (cur); Sipahi, Guilherme Matos (cur); Chitta, Valmir Antonio (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18. . São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física - IFUSP. . Acesso em: 03 ago. 2024. , 2017
APA
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18. (2017). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física - IFUSP.
NLM
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18. 2017 ;[citado 2024 ago. 03 ]

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