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Dissertação (Mestrado)
Modos vibracionais do complexo b-h em silicio (1989)
Pena, Marilene Goncalves; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PENA, Marilene Goncalves. Modos vibracionais do complexo b-h em silicio. 1989. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Pena, M. G. (1989). Modos vibracionais do complexo b-h em silicio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Pena MG. Modos vibracionais do complexo b-h em silicio. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Pena MG. Modos vibracionais do complexo b-h em silicio. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Semicondutores amorfos na natureza: melaninas (1989)
Galvao, D S; Caldas, Marília Junqueira
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALVAO, D S e CALDAS, Marília Junqueira. Semicondutores amorfos na natureza: melaninas. 1989, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Galvao, D. S., & Caldas, M. J. (1989). Semicondutores amorfos na natureza: melaninas. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Galvao DS, Caldas MJ. Semicondutores amorfos na natureza: melaninas. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Galvao DS, Caldas MJ. Semicondutores amorfos na natureza: melaninas. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
First principles phase diagrams calculation of ii-vi semiconductor alloys (1989)
Wei, S M; Ferreira, L G; Zunger, A
Source: Proceedings. Conference titles: Polycrystalline Thin Film Program Meeting. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
WEI, S M e FERREIRA, L G e ZUNGER, A. First principles phase diagrams calculation of ii-vi semiconductor alloys. 1989, Anais.. Lakewood: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Wei, S. M., Ferreira, L. G., & Zunger, A. (1989). First principles phase diagrams calculation of ii-vi semiconductor alloys. In Proceedings. Lakewood: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Wei SM, Ferreira LG, Zunger A. First principles phase diagrams calculation of ii-vi semiconductor alloys. Proceedings. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Wei SM, Ferreira LG, Zunger A. First principles phase diagrams calculation of ii-vi semiconductor alloys. Proceedings. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Tese (Doutorado)
Impurezas 4d, 5d e 4f em semicondutores iii-v (1989)
Azevedo, Tania Cristina Arantes Macedo de; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
AZEVEDO, Tania Cristina Arantes Macedo de. Impurezas 4d, 5d e 4f em semicondutores iii-v. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Azevedo, T. C. A. M. de. (1989). Impurezas 4d, 5d e 4f em semicondutores iii-v (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Azevedo TCAM de. Impurezas 4d, 5d e 4f em semicondutores iii-v. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Azevedo TCAM de. Impurezas 4d, 5d e 4f em semicondutores iii-v. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Dissertação (Mestrado)
Saturação da superfície em modelos de aglomerados para defeitos em sólidos covalentes (1989)
Rodrigues, Cecilia Wetterle; Caldas, Marília Junqueira (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, Cecilia Wetterle. Saturação da superfície em modelos de aglomerados para defeitos em sólidos covalentes. 1989. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Rodrigues, C. W. (1989). Saturação da superfície em modelos de aglomerados para defeitos em sólidos covalentes (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Rodrigues CW. Saturação da superfície em modelos de aglomerados para defeitos em sólidos covalentes. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Rodrigues CW. Saturação da superfície em modelos de aglomerados para defeitos em sólidos covalentes. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Dissertação (Mestrado)
Impurezas isoeletronicas e calcogeneas em germanio (1989)
Castineira, Jose Luis Petricelli; Gomes, Vivili Maria Silva (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, Jose Luis Petricelli. Impurezas isoeletronicas e calcogeneas em germanio. 1989. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Castineira, J. L. P. (1989). Impurezas isoeletronicas e calcogeneas em germanio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Castineira JLP. Impurezas isoeletronicas e calcogeneas em germanio. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Castineira JLP. Impurezas isoeletronicas e calcogeneas em germanio. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Modelos de aglomerados para impurezas em semicondutores (1989)
Rodrigues, C W; Caldas, Marília Junqueira
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, C W e CALDAS, Marília Junqueira. Modelos de aglomerados para impurezas em semicondutores. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Rodrigues, C. W., & Caldas, M. J. (1989). Modelos de aglomerados para impurezas em semicondutores. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rodrigues CW, Caldas MJ. Modelos de aglomerados para impurezas em semicondutores. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Rodrigues CW, Caldas MJ. Modelos de aglomerados para impurezas em semicondutores. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Dissertação (Mestrado)
Neutralização dos niveis de impureza de 'CU', 'AG' e 'AU' em silicio por hidrogenio (1989)
Antonini, Joseanne Gomes Angelo; Assali, Lucy Vitoria Credidio (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONINI, Joseanne Gomes Angelo. Neutralização dos niveis de impureza de 'CU', 'AG' e 'AU' em silicio por hidrogenio. 1989. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-141121/. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Antonini, J. G. A. (1989). Neutralização dos niveis de impureza de 'CU', 'AG' e 'AU' em silicio por hidrogenio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-141121/
NLM
Antonini JGA. Neutralização dos niveis de impureza de 'CU', 'AG' e 'AU' em silicio por hidrogenio [Internet]. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-141121/
Vancouver
Antonini JGA. Neutralização dos niveis de impureza de 'CU', 'AG' e 'AU' em silicio por hidrogenio [Internet]. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-141121/

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