Silva, Ronaldo Santos; Hernandes, Antônio Carlos 
; Macedo, Zélia Soares; Valerio, Márcio Ernesto Giroldo
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Insulating Materials - ICDIM. Unidade: IFSC
Assuntos: CRESCIMENTO DE CRISTAIS, TERMOLUMINESCÊNCIA, LUMINESCÊNCIA, MATERIAIS CERÂMICOS, LUMINESCÊNCIA (PROPRIEDADES)
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ABNT
SILVA, Ronaldo Santos et al. Scintillating mechanism of 'Bi IND.4''Ge IND.3''O IND.12' studied via radioluminescence and thermoluminescence techniques. 2008, Anais.. São Cristovão: Universidade Federal de Sergipe, 2008. . Acesso em: 05 dez. 2025.APA
Silva, R. S., Hernandes, A. C., Macedo, Z. S., & Valerio, M. E. G. (2008). Scintillating mechanism of 'Bi IND.4''Ge IND.3''O IND.12' studied via radioluminescence and thermoluminescence techniques. In Abstracts. São Cristovão: Universidade Federal de Sergipe.NLM
Silva RS, Hernandes AC, Macedo ZS, Valerio MEG. Scintillating mechanism of 'Bi IND.4''Ge IND.3''O IND.12' studied via radioluminescence and thermoluminescence techniques. Abstracts. 2008 ;[citado 2025 dez. 05 ]Vancouver
Silva RS, Hernandes AC, Macedo ZS, Valerio MEG. Scintillating mechanism of 'Bi IND.4''Ge IND.3''O IND.12' studied via radioluminescence and thermoluminescence techniques. Abstracts. 2008 ;[citado 2025 dez. 05 ]
