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Trabalho de evento-resumo
Simulacao numerica dos perfis de temperatura em fornos rtp (1996)
Araes, L G; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: [Resumos]. Nome do evento: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAES, L G e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Simulacao numerica dos perfis de temperatura em fornos rtp. 1996, Anais.. São Paulo: USP, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Araes, L. G., & Santos Filho, S. G. dos. (1996). Simulacao numerica dos perfis de temperatura em fornos rtp. In [Resumos]. São Paulo: USP.
NLM
Araes LG, Santos Filho SG dos. Simulacao numerica dos perfis de temperatura em fornos rtp. [Resumos]. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Araes LG, Santos Filho SG dos. Simulacao numerica dos perfis de temperatura em fornos rtp. [Resumos]. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio (1995)
Araes, L G; Hasenack, Claus Martin
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAES, L G e HASENACK, Claus Martin. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. 1995, Anais.. São Paulo: USP, 1995. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Araes, L. G., & Hasenack, C. M. (1995). Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. In Resumos. São Paulo: USP.
NLM
Araes LG, Hasenack CM. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Araes LG, Hasenack CM. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]

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