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Artigo de periodico
Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. 90-93, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3. Acesso em: 13 nov. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), 90-93. doi:10.1016/s0921-5107(02)00036-3
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2025 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2025 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3
Artigo de periodico
Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PAIVA, R de et al. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. p 2-5, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908. Acesso em: 13 nov. 2025.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), p 2-5. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2025 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2025 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Artigo de periodico
Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces (1997)
Alves, J L A; Alves, H W L; Oliveira, C de; Valadao, R D S C; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Subjects: ÁTOMOS, FISICA DOS MATERIAIS E MECANICA
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ABNT
ALVES, J L A et al. Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces. Materials Science and Engineering B, v. 43, p. 288-291, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01869-7. Acesso em: 13 nov. 2025.
APA
Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Oliveira, C. de, Valadao, R. D. S. C., & Leite, J. R. (1997). Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces. Materials Science and Engineering B, 43, 288-291. doi:10.1016/s0921-5107(96)01869-7
NLM
Alves JLA, Alves HWL, Oliveira C de, Valadao RDSC, Leite JR. Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces [Internet]. Materials Science and Engineering B. 1997 ; 43 288-291.[citado 2025 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01869-7
Vancouver
Alves JLA, Alves HWL, Oliveira C de, Valadao RDSC, Leite JR. Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces [Internet]. Materials Science and Engineering B. 1997 ; 43 288-291.[citado 2025 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01869-7

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