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Trabalho de evento
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe) (1990)
Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Allan, G L; Lavielle, D; Portal, J C
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Allan, G. L., Lavielle, D., & Portal, J. C. (1990). Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Allan GL, Lavielle D, Portal JC. Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Allan GL, Lavielle D, Portal JC. Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Schrappe, B J; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHRAPPE, B J et al. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf. Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1990). Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Siu Li M, Basmaji P. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Siu Li M, Basmaji P. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf. Acesso em: 07 dez. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 825.[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 825.[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
Artigo de periodico
Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Materials Science Forum. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, v. 65-6, p. 67-72, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67. Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, 65-6, 67-72. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Trabalho de evento
Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? (1990)
Bernussi, A A; Mendonca, C A C; Motisuke, P; Meneses, E A; Cerdeira, P; Pollak, F H; Basmaji, Pierre; Dias, I. F. L.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference of the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf. Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Mendonca, C. A. C., Motisuke, P., Meneses, E. A., Cerdeira, P., Pollak, F. H., et al. (1990). Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? In Proceedings. Singapore: World Scientific. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf
NLM
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf
Trabalho de evento-resumo
Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. 1990, Anais.. Aachen: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., & Basmaji, P. (1990). Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. In Abstracts. Aachen: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Trabalho de evento
Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure (1990)
Basmaji, Pierre; Lavielle, D; Portal, J C; Gibart, P
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure. 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Lavielle, D., Portal, J. C., & Gibart, P. (1990). Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Basmaji P, Lavielle D, Portal JC, Gibart P. Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Basmaji P, Lavielle D, Portal JC, Gibart P. Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy (1990)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 67, n. 9 , p. 4149-51, 1990Tradução . . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 67( 9 ), 4149-51.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2025 dez. 07 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Motisuke, P
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf. Acesso em: 07 dez. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., & Motisuke, P. (1990). Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Trabalho de evento-resumo
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe (1990)
Notari, A C; Lapasse, N; Siu Li, Máximo ; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf. Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Notari, A. C., Lapasse, N., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1990). Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
NLM
Notari AC, Lapasse N, Siu Li M, Basmaji P. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
Vancouver
Notari AC, Lapasse N, Siu Li M, Basmaji P. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI' (1990)
Basmaji, Pierre; Najda, S P; Portal, J C
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre e NAJDA, S P e PORTAL, J C. Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/38ae0261-421a-4dd2-8723-67d73f296637/PROD000273_816628.pdf. Acesso em: 07 dez. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Najda, S. P., & Portal, J. C. (1990). Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/38ae0261-421a-4dd2-8723-67d73f296637/PROD000273_816628.pdf
NLM
Basmaji P, Najda SP, Portal JC. Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( ju 1990): 1368.[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/38ae0261-421a-4dd2-8723-67d73f296637/PROD000273_816628.pdf
Vancouver
Basmaji P, Najda SP, Portal JC. Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( ju 1990): 1368.[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/38ae0261-421a-4dd2-8723-67d73f296637/PROD000273_816628.pdf
Trabalho de evento-resumo
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A. A.; Brum, J. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Physic of Electro-optic microstructures and microdevices. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. 1990, Anais.. Crete: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. In Abstracts. Crete: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Artigo de periodico
Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1990)
Minami, E; Migliato, J; Notari, A; Ceschin, A M; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo
Source: Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MINAMI, E et al. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, v. 9 , n. 1 , p. 14-6, 1990Tradução . . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Minami, E., Migliato, J., Notari, A., Ceschin, A. M., Basmaji, P., & Siu Li, M. (1990). Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, 9 ( 1 ), 14-6.
NLM
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2025 dez. 07 ]
Trabalho de evento
Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1990)
Lavielle, D; Sallese, J M; Goutiers, B; Dmowski, L; Basmaji, Pierre; Portal, J C; Gibart, P
Source: Proceedings. Conference titles: International Symposium 'ga''as' and Related Compounds. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAVIELLE, D et al. Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. 1990, Anais.. Karuizawa: Iop, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d0a4aa5e-ae20-4e8a-ba49-21d871f6ee0e/PROD001302_817908.pdf. Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Lavielle, D., Sallese, J. M., Goutiers, B., Dmowski, L., Basmaji, P., Portal, J. C., & Gibart, P. (1990). Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. In Proceedings. Karuizawa: Iop. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d0a4aa5e-ae20-4e8a-ba49-21d871f6ee0e/PROD001302_817908.pdf
NLM
Lavielle D, Sallese JM, Goutiers B, Dmowski L, Basmaji P, Portal JC, Gibart P. Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d0a4aa5e-ae20-4e8a-ba49-21d871f6ee0e/PROD001302_817908.pdf
Vancouver
Lavielle D, Sallese JM, Goutiers B, Dmowski L, Basmaji P, Portal JC, Gibart P. Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d0a4aa5e-ae20-4e8a-ba49-21d871f6ee0e/PROD001302_817908.pdf
Trabalho de evento-resumo
Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf. Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Ioriatti Júnior, L. C., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
Trabalho de evento
Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c (1990)
Basmaji, Pierre; Gibart, P
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre e GIBART, P. Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c. 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., & Gibart, P. (1990). Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Basmaji P, Gibart P. Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Basmaji P, Gibart P. Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Artigo de periodico
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1990)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Surface Science. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, v. 228, p. 356-8, 1990Tradução . . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1990). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, 228, 356-8.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2025 dez. 07 ]
Artigo de periodico
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures, v. 8 , n. 2 , p. 205-8, 1990Tradução . . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures, 8 ( 2 ), 205-8.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures. 1990 ;8 ( 2 ): 205-8.[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures. 1990 ;8 ( 2 ): 205-8.[citado 2025 dez. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS' (1990)
Carvalho Lima, W L; Basmaji, Pierre; Brasil, M J S P; Motisuke, P
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARVALHO LIMA, W L et al. Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS'. 1990, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/84b1b672-bf8d-4042-af6e-8513900993d5/PROD001262_817898.pdf. Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Carvalho Lima, W. L., Basmaji, P., Brasil, M. J. S. P., & Motisuke, P. (1990). Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/84b1b672-bf8d-4042-af6e-8513900993d5/PROD001262_817898.pdf
NLM
Carvalho Lima WL, Basmaji P, Brasil MJSP, Motisuke P. Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS' [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/84b1b672-bf8d-4042-af6e-8513900993d5/PROD001262_817898.pdf
Vancouver
Carvalho Lima WL, Basmaji P, Brasil MJSP, Motisuke P. Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS' [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/84b1b672-bf8d-4042-af6e-8513900993d5/PROD001262_817898.pdf
Trabalho de evento-resumo
Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Basmaji, Pierre; Motisuke, P
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar. 1990, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf. Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Basmaji, P., & Motisuke, P. (1990). Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Basmaji P, Motisuke P. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Basmaji P, Motisuke P. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf

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