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Trabalho de evento
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe) (1990)
Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Allan, G L; Lavielle, D; Portal, J C
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Allan, G. L., Lavielle, D., & Portal, J. C. (1990). Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Allan GL, Lavielle D, Portal JC. Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Allan GL, Lavielle D, Portal JC. Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Iikawa, F.; Motisuke, Paulo; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Proceedings of SPIE. Conference titles: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.20864. Acesso em: 09 dez. 2025. , 1990
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.20864
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Trabalho de evento-resumo
Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Schrappe, B J; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHRAPPE, B J et al. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1990). Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Siu Li M, Basmaji P. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Siu Li M, Basmaji P. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 825.[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 825.[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
Artigo de periodico
Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Materials Science Forum. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, v. 65-6, p. 67-72, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, 65-6, 67-72. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Trabalho de evento
Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? (1990)
Bernussi, A A; Mendonca, C A C; Motisuke, P; Meneses, E A; Cerdeira, P; Pollak, F H; Basmaji, Pierre; Dias, I. F. L.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference of the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Mendonca, C. A. C., Motisuke, P., Meneses, E. A., Cerdeira, P., Pollak, F. H., et al. (1990). Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? In Proceedings. Singapore: World Scientific. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf
NLM
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf
Trabalho de evento
Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure (1990)
Basmaji, Pierre; Lavielle, D; Portal, J C; Gibart, P
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure. 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Lavielle, D., Portal, J. C., & Gibart, P. (1990). Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Basmaji P, Lavielle D, Portal JC, Gibart P. Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Basmaji P, Lavielle D, Portal JC, Gibart P. Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy (1990)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 67, n. 9 , p. 4149-51, 1990Tradução . . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 67( 9 ), 4149-51.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Motisuke, P
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., & Motisuke, P. (1990). Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
Trabalho de evento-resumo
Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. 1990, Anais.. Aachen: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ea4a5ac9-02bb-4de7-9b59-cb14602960db/PROD001681_2296691.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., & Basmaji, P. (1990). Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. In Abstracts. Aachen: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ea4a5ac9-02bb-4de7-9b59-cb14602960db/PROD001681_2296691.pdf
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ea4a5ac9-02bb-4de7-9b59-cb14602960db/PROD001681_2296691.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ea4a5ac9-02bb-4de7-9b59-cb14602960db/PROD001681_2296691.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. 1990, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Trabalho de evento-resumo
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe (1990)
Notari, A C; Lapasse, N; Siu Li, Máximo ; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Notari, A. C., Lapasse, N., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1990). Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
NLM
Notari AC, Lapasse N, Siu Li M, Basmaji P. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
Vancouver
Notari AC, Lapasse N, Siu Li M, Basmaji P. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI' (1990)
Basmaji, Pierre; Najda, S P; Portal, J C
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre e NAJDA, S P e PORTAL, J C. Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/38ae0261-421a-4dd2-8723-67d73f296637/PROD000273_816628.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Najda, S. P., & Portal, J. C. (1990). Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/38ae0261-421a-4dd2-8723-67d73f296637/PROD000273_816628.pdf
NLM
Basmaji P, Najda SP, Portal JC. Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( ju 1990): 1368.[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/38ae0261-421a-4dd2-8723-67d73f296637/PROD000273_816628.pdf
Vancouver
Basmaji P, Najda SP, Portal JC. Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( ju 1990): 1368.[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/38ae0261-421a-4dd2-8723-67d73f296637/PROD000273_816628.pdf
Trabalho de evento-resumo
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A. A.; Brum, J. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Physic of Electro-optic microstructures and microdevices. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. 1990, Anais.. Crete: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. In Abstracts. Crete: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Artigo de periodico
Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1990)
Minami, E; Migliato, J; Notari, A; Ceschin, A M; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo
Source: Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MINAMI, E et al. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, v. 9 , n. 1 , p. 14-6, 1990Tradução . . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Minami, E., Migliato, J., Notari, A., Ceschin, A. M., Basmaji, P., & Siu Li, M. (1990). Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, 9 ( 1 ), 14-6.
NLM
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1990)
Lavielle, D; Sallese, J M; Goutiers, B; Dmowski, L; Basmaji, Pierre; Portal, J C; Gibart, P
Source: Proceedings. Conference titles: International Symposium 'ga''as' and Related Compounds. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
LAVIELLE, D et al. Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. 1990, Anais.. Karuizawa: Iop, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d0a4aa5e-ae20-4e8a-ba49-21d871f6ee0e/PROD001302_817908.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Lavielle, D., Sallese, J. M., Goutiers, B., Dmowski, L., Basmaji, P., Portal, J. C., & Gibart, P. (1990). Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. In Proceedings. Karuizawa: Iop. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d0a4aa5e-ae20-4e8a-ba49-21d871f6ee0e/PROD001302_817908.pdf
NLM
Lavielle D, Sallese JM, Goutiers B, Dmowski L, Basmaji P, Portal JC, Gibart P. Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d0a4aa5e-ae20-4e8a-ba49-21d871f6ee0e/PROD001302_817908.pdf
Vancouver
Lavielle D, Sallese JM, Goutiers B, Dmowski L, Basmaji P, Portal JC, Gibart P. Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d0a4aa5e-ae20-4e8a-ba49-21d871f6ee0e/PROD001302_817908.pdf
Trabalho de evento-resumo
Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Ioriatti Júnior, L. C., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS' (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. 1990, Anais.. San Diego: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d91d4aad-fff8-4abe-bcb9-b77661bec7ab/PROD001680_2296472.pdf. Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. In Abstracts. San Diego: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d91d4aad-fff8-4abe-bcb9-b77661bec7ab/PROD001680_2296472.pdf
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS' [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d91d4aad-fff8-4abe-bcb9-b77661bec7ab/PROD001680_2296472.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS' [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d91d4aad-fff8-4abe-bcb9-b77661bec7ab/PROD001680_2296472.pdf

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