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Trabalho de evento-resumo periodico
Density-functional theory description of transport in the single-electron transistor (2017)
Zawadzki, Krissia; Oliveira, Luiz Nunes de
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: EFEITO KONDO, BAIXA TEMPERATURA, TRANSISTORES
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ABNT
ZAWADZKI, Krissia e OLIVEIRA, Luiz Nunes de. Density-functional theory description of transport in the single-electron transistor. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: http://meetings.aps.org/Meeting/MAR17/Session/V12.8. Acesso em: 14 set. 2024. , 2017
APA
Zawadzki, K., & Oliveira, L. N. de. (2017). Density-functional theory description of transport in the single-electron transistor. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de http://meetings.aps.org/Meeting/MAR17/Session/V12.8
NLM
Zawadzki K, Oliveira LN de. Density-functional theory description of transport in the single-electron transistor [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2017 ; 62( 4):[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://meetings.aps.org/Meeting/MAR17/Session/V12.8
Vancouver
Zawadzki K, Oliveira LN de. Density-functional theory description of transport in the single-electron transistor [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2017 ; 62( 4):[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://meetings.aps.org/Meeting/MAR17/Session/V12.8
Trabalho de evento-resumo
Using sum-frequency generation (SFG) to probe electric-fields within organic field-effect transistors (2017)
Gomes, Douglas José Correia; Motti, Silvia Genaro; Miranda, Paulo Barbeitas
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
GOMES, Douglas José Correia e MOTTI, Silvia Genaro e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Using sum-frequency generation (SFG) to probe electric-fields within organic field-effect transistors. 2017, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2017. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPWV. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Gomes, D. J. C., Motti, S. G., & Miranda, P. B. (2017). Using sum-frequency generation (SFG) to probe electric-fields within organic field-effect transistors. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPWV
NLM
Gomes DJC, Motti SG, Miranda PB. Using sum-frequency generation (SFG) to probe electric-fields within organic field-effect transistors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPWV
Vancouver
Gomes DJC, Motti SG, Miranda PB. Using sum-frequency generation (SFG) to probe electric-fields within organic field-effect transistors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPWV
Trabalho de evento-resumo
On the transient response of organic electrochemical transistors (2017)
Faria, Gregório Couto ; Duong, Duc Trong; Salleo, Alberto
Source: Abstracts. Conference titles: EMRS Spring Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, ELETROQUÍMICA ORGÂNICA
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ABNT
FARIA, Gregório Couto e DUONG, Duc Trong e SALLEO, Alberto. On the transient response of organic electrochemical transistors. 2017, Anais.. Strasbourg: European Materials Research Society - EMRS, 2017. Disponível em: http://www.european-mrs.com/organic-bioelectronics-emrs. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Faria, G. C., Duong, D. T., & Salleo, A. (2017). On the transient response of organic electrochemical transistors. In Abstracts. Strasbourg: European Materials Research Society - EMRS. Recuperado de http://www.european-mrs.com/organic-bioelectronics-emrs
NLM
Faria GC, Duong DT, Salleo A. On the transient response of organic electrochemical transistors [Internet]. Abstracts. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.european-mrs.com/organic-bioelectronics-emrs
Vancouver
Faria GC, Duong DT, Salleo A. On the transient response of organic electrochemical transistors [Internet]. Abstracts. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.european-mrs.com/organic-bioelectronics-emrs
Trabalho de evento-resumo
The influence of the Hofmeister eries on the swelling of ions in organic mixed ionic-electronic conductors (2017)
Colucci, Renan; Cavassin, Priscila; Faria, Gregório Couto
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
COLUCCI, Renan e CAVASSIN, Priscila e FARIA, Gregório Couto. The influence of the Hofmeister eries on the swelling of ions in organic mixed ionic-electronic conductors. 2017, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2017. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPKH. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Colucci, R., Cavassin, P., & Faria, G. C. (2017). The influence of the Hofmeister eries on the swelling of ions in organic mixed ionic-electronic conductors. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPKH
NLM
Colucci R, Cavassin P, Faria GC. The influence of the Hofmeister eries on the swelling of ions in organic mixed ionic-electronic conductors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPKH
Vancouver
Colucci R, Cavassin P, Faria GC. The influence of the Hofmeister eries on the swelling of ions in organic mixed ionic-electronic conductors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPKH
Tese (Doutorado)
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M. (2017). Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
NLM
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Vancouver
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Tese (Doutorado)
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Martino, M. D. V. (2017). Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
NLM
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Vancouver
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA
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ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
NLM
Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Vancouver
Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Trabalho de evento
Probing electric-fields within organic devices using sum-frequency generation (SFG) (2017)
Gomes, D. J. C.; Motti, S. G.; Miranda, Paulo Barbeitas
Source: Anais eletrônicos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, D. J. C. e MOTTI, S. G. e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Probing electric-fields within organic devices using sum-frequency generation (SFG). 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2017. Disponível em: http://www.eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/855/455. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Gomes, D. J. C., Motti, S. G., & Miranda, P. B. (2017). Probing electric-fields within organic devices using sum-frequency generation (SFG). In Anais eletrônicos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://www.eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/855/455
NLM
Gomes DJC, Motti SG, Miranda PB. Probing electric-fields within organic devices using sum-frequency generation (SFG) [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/855/455
Vancouver
Gomes DJC, Motti SG, Miranda PB. Probing electric-fields within organic devices using sum-frequency generation (SFG) [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/855/455
Artigo de periodico
Effect of dopant segregation and negative differential mobility on multi-quantum well activation energy (2017)
Pedroso, D. M.; Santos, T. G.; Delfino, C. A.; Vieira, G. S.; Fernandes, F. M.; Passaro, A.; Quivy, Alain André
Source: Journal of Materials Science. Unidade: IF
Subjects: FOTODETECTORES, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEDROSO, D. M. et al. Effect of dopant segregation and negative differential mobility on multi-quantum well activation energy. Journal of Materials Science, v. 52, n. 9, p. 5223-5231, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s10853-017-0763-9. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Pedroso, D. M., Santos, T. G., Delfino, C. A., Vieira, G. S., Fernandes, F. M., Passaro, A., & Quivy, A. A. (2017). Effect of dopant segregation and negative differential mobility on multi-quantum well activation energy. Journal of Materials Science, 52( 9), 5223-5231. doi:10.1007/s10853-017-0763-9
NLM
Pedroso DM, Santos TG, Delfino CA, Vieira GS, Fernandes FM, Passaro A, Quivy AA. Effect of dopant segregation and negative differential mobility on multi-quantum well activation energy [Internet]. Journal of Materials Science. 2017 ; 52( 9): 5223-5231.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s10853-017-0763-9
Vancouver
Pedroso DM, Santos TG, Delfino CA, Vieira GS, Fernandes FM, Passaro A, Quivy AA. Effect of dopant segregation and negative differential mobility on multi-quantum well activation energy [Internet]. Journal of Materials Science. 2017 ; 52( 9): 5223-5231.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s10853-017-0763-9
Trabalho de evento-resumo
A Universal platform for fabricating organic electrochemical devices (2017)
Cavassin, Priscila; Colucci, Renan; Duong, Duc Trong; Faria, Gregório Couto
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVASSIN, Priscila et al. A Universal platform for fabricating organic electrochemical devices. 2017, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2017. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPWZ. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Cavassin, P., Colucci, R., Duong, D. T., & Faria, G. C. (2017). A Universal platform for fabricating organic electrochemical devices. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPWZ
NLM
Cavassin P, Colucci R, Duong DT, Faria GC. A Universal platform for fabricating organic electrochemical devices [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPWZ
Vancouver
Cavassin P, Colucci R, Duong DT, Faria GC. A Universal platform for fabricating organic electrochemical devices [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BPWZ
Trabalho de evento-resumo
On the transient response of organic electrochemical transistors (2017)
Faria, Gregório Couto ; Duong, Duc Trong; Salleo, Alberto
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FARIA, Gregório Couto e DUONG, Duc Trong e SALLEO, Alberto. On the transient response of organic electrochemical transistors. 2017, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2017. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BRHA. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Faria, G. C., Duong, D. T., & Salleo, A. (2017). On the transient response of organic electrochemical transistors. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BRHA
NLM
Faria GC, Duong DT, Salleo A. On the transient response of organic electrochemical transistors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BRHA
Vancouver
Faria GC, Duong DT, Salleo A. On the transient response of organic electrochemical transistors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BRHA
Trabalho de evento
Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates (2017)
Matos, J. H. R.; Stefanelo, J. C.; Faria, Roberto Mendonça
Source: Anais eletrônicos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATOS, J. H. R. e STEFANELO, J. C. e FARIA, Roberto Mendonça. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2017. Disponível em: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2017). Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. In Anais eletrônicos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469
NLM
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469
Vancouver
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)
Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
NLM
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Vancouver
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Dissertação (Mestrado)
Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (2017)
Caparroz, Luís Felipe Vicentis; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador); Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, BAIXA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAPARROZ, Luís Felipe Vicentis. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Caparroz, L. F. V. (2017). Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
NLM
Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Vancouver
Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Artigo de periodico
Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Claeys, Cor ; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Vandooren, A; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 32, n. 5, p. 055015, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Martino, M. D. V., Claeys, C., Rooyackers, R., Simoen, E., Agopian, P. G. D., Vandooren, A., & Martino, J. A. (2017). Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 32( 5), 055015. doi:10.1088/1361-6641/aa6764
NLM
Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764
Vancouver
Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764
Trabalho de evento-resumo
Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors (2017)
Matos, João Henrique Rocha; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATOS, João Henrique Rocha e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors. 2017, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2017. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2017). Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE
NLM
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE
Vancouver
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE
Trabalho de evento-resumo
A universal platform for fabricating organic electrochemical devices and their applications in neuromorphic computing (2017)
Duong, Duc; Faria, Gregório Couto ; Chakthranont, Pongkarn; Tuchman, Yaakov; Jaramillo, Thomas F.; Salleo, Alberto
Source: Abstracts. Conference titles: Materials Research Society Fall Meeting and Exhibit. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA, TRANSISTORES
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ABNT
DUONG, Duc et al. A universal platform for fabricating organic electrochemical devices and their applications in neuromorphic computing. 2017, Anais.. Warrendale: Materials Research Society - MRS, 2017. Disponível em: https://mrsfall.zerista.com/event/member/432212. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Duong, D., Faria, G. C., Chakthranont, P., Tuchman, Y., Jaramillo, T. F., & Salleo, A. (2017). A universal platform for fabricating organic electrochemical devices and their applications in neuromorphic computing. In Abstracts. Warrendale: Materials Research Society - MRS. Recuperado de https://mrsfall.zerista.com/event/member/432212
NLM
Duong D, Faria GC, Chakthranont P, Tuchman Y, Jaramillo TF, Salleo A. A universal platform for fabricating organic electrochemical devices and their applications in neuromorphic computing [Internet]. Abstracts. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://mrsfall.zerista.com/event/member/432212
Vancouver
Duong D, Faria GC, Chakthranont P, Tuchman Y, Jaramillo TF, Salleo A. A universal platform for fabricating organic electrochemical devices and their applications in neuromorphic computing [Internet]. Abstracts. 2017 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://mrsfall.zerista.com/event/member/432212

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