Optical properties of p-doped dilute nitride semiconductors under electric fields (2017)
Rodrigues, Sara C. P.; Oliveira, Thiago F.; Sipahi, Guilherme Matos 
Fonte: Abstract Booklet. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Assuntos: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, Sara C. P. e OLIVEIRA, Thiago F. e SIPAHI, Guilherme Matos. Optical properties of p-doped dilute nitride semiconductors under electric fields. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.APA
Rodrigues, S. C. P., Oliveira, T. F., & Sipahi, G. M. (2017). Optical properties of p-doped dilute nitride semiconductors under electric fields. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdfNLM
Rodrigues SCP, Oliveira TF, Sipahi GM. Optical properties of p-doped dilute nitride semiconductors under electric fields [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdfVancouver
Rodrigues SCP, Oliveira TF, Sipahi GM. Optical properties of p-doped dilute nitride semiconductors under electric fields [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
