ITC study of Ga POT. +, Ge POT. 2+, and Sn POT. 2+-doped alkali halides (1997)
Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IFSCSubjects: DIELÉTRICOS, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MACALIK, B e SIU LI, Máximo e ZAZUBOVICH, S. ITC study of Ga POT. +, Ge POT. 2+, and Sn POT. 2+-doped alkali halides. 1997, Anais.. Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 09 nov. 2025.APA
Macalik, B., Siu Li, M., & Zazubovich, S. (1997). ITC study of Ga POT. +, Ge POT. 2+, and Sn POT. 2+-doped alkali halides. In . Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.NLM
Macalik B, Siu Li M, Zazubovich S. ITC study of Ga POT. +, Ge POT. 2+, and Sn POT. 2+-doped alkali halides. 1997 ;[citado 2025 nov. 09 ]Vancouver
Macalik B, Siu Li M, Zazubovich S. ITC study of Ga POT. +, Ge POT. 2+, and Sn POT. 2+-doped alkali halides. 1997 ;[citado 2025 nov. 09 ]
