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Filtros : "Journal of Applied Physics" "GUIMARÃES, FRANCISCO EDUARDO GONTIJO" Limpar

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  • Artigo de periodico

    Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors (2024)

    Valente, Gustavo Targino ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo

    Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), SEMICONDUTORES, ÓPTICA, CÁLCULO DE PROBABILIDADE

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      VALENTE, Gustavo Targino e GUIMARÃES, Francisco Eduardo Gontijo. Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors. Journal of Applied Physics, v. 136, n. 8, p. 084501-1-084501-8, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0218020. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Valente, G. T., & Guimarães, F. E. G. (2024). Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors. Journal of Applied Physics, 136( 8), 084501-1-084501-8. doi:10.1063/5.0218020

    • NLM

      Valente GT, Guimarães FEG. Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 136( 8): 084501-1-084501-8.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0218020

    • Vancouver

      Valente GT, Guimarães FEG. Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 136( 8): 084501-1-084501-8.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0218020

  • Artigo de periodico

    Influence of nonradiative Auger process in the lanthanide complexes lifetime near interfaces in organic light-emitting diode structures (2019)

    Pereira, Alessandra; Conte, Gilmar; Faceto, Angelo Danilo; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Quirino, Welber G.; Legnani, Cristiano; Gallardo, Hugo; Cremona, Marco; Bechtold, Ivan H.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo

    Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assuntos: LUMINESCÊNCIA, EMISSÃO DA LUZ, FILMES FINOS, ÓPTICA NÃO LINEAR

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PEREIRA, Alessandra et al. Influence of nonradiative Auger process in the lanthanide complexes lifetime near interfaces in organic light-emitting diode structures. Journal of Applied Physics, v. 126, n. 16, p. 165501-1-165501-9, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5099014. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Pereira, A., Conte, G., Faceto, A. D., Nunes, L. A. de O., Quirino, W. G., Legnani, C., et al. (2019). Influence of nonradiative Auger process in the lanthanide complexes lifetime near interfaces in organic light-emitting diode structures. Journal of Applied Physics, 126( 16), 165501-1-165501-9. doi:10.1063/1.5099014

    • NLM

      Pereira A, Conte G, Faceto AD, Nunes LA de O, Quirino WG, Legnani C, Gallardo H, Cremona M, Bechtold IH, Guimarães FEG. Influence of nonradiative Auger process in the lanthanide complexes lifetime near interfaces in organic light-emitting diode structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 126( 16): 165501-1-165501-9.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5099014

    • Vancouver

      Pereira A, Conte G, Faceto AD, Nunes LA de O, Quirino WG, Legnani C, Gallardo H, Cremona M, Bechtold IH, Guimarães FEG. Influence of nonradiative Auger process in the lanthanide complexes lifetime near interfaces in organic light-emitting diode structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 126( 16): 165501-1-165501-9.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5099014

  • Artigo de periodico

    Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires (2013)

    Caface, R. A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Pusep, Yuri A

    Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAFACE, R. A. et al. Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 6, p. 064315-1-064315-4, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4792301. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Caface, R. A., Guimarães, F. E. G., Arakaki, H., Souza, C. A. de, & Pusep, Y. A. (2013). Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, 113( 6), 064315-1-064315-4. doi:10.1063/1.4792301

    • NLM

      Caface RA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 6): 064315-1-064315-4.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4792301

    • Vancouver

      Caface RA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 6): 064315-1-064315-4.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4792301
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