Filtros : "Journal of Applied Physics" "Fazzio, Adalberto" Limpar

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  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assunto: DENSIDADE

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RIGO, V A et al. 'MN' dimers on graphene nanoribbons: An ab initio study. Journal of Applied Physics, v. 109, n. 5, p. 053715-1-053715-4, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3553849. Acesso em: 09 nov. 2025.
    • APA

      Rigo, V. A., Fazzio, A., Miwa, R. H., & Silva, A. J. R. da. (2011). 'MN' dimers on graphene nanoribbons: An ab initio study. Journal of Applied Physics, 109( 5), 053715-1-053715-4. doi:10.1063/1.3553849
    • NLM

      Rigo VA, Fazzio A, Miwa RH, Silva AJR da. 'MN' dimers on graphene nanoribbons: An ab initio study [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 109( 5): 053715-1-053715-4.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3553849
    • Vancouver

      Rigo VA, Fazzio A, Miwa RH, Silva AJR da. 'MN' dimers on graphene nanoribbons: An ab initio study [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 109( 5): 053715-1-053715-4.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3553849
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 5892-5895, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips. Acesso em: 09 nov. 2025.
    • APA

      Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation. Journal of Applied Physics, 91( 9), 5892-5895. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
    • NLM

      Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 5892-5895.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 5892-5895.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 4, p. 1843-1847, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.370977. Acesso em: 09 nov. 2025.
    • APA

      Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, 86( 4), 1843-1847. doi:10.1063/1.370977
    • NLM

      Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977
    • Vancouver

      Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977

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