Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well (2018)
Tavares, B. G. M.; Castro, E. D. G.; Teodoro, M. D.; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A 
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TAVARES, B. G. M. et al. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2018. . Acesso em: 16 out. 2024.APA
Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., Teodoro, M. D., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.NLM
Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ]Vancouver
Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ]
