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Trabalho de evento-resumo
First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Santos, R R dos; Oliveira, L E
Fonte: Books Abstracts I (Oral). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. In Books Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange B; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts I (Oral). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange B et al. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. In Book of Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Book of Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Book of Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface (2003)
Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts II (Poster). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si (2003)
Schmidt, T M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts II (Poster). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Antonelli, A; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts II (Poster). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 07 dez. 2025.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 dez. 07 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp (1986)
Motisuke, P; Iikawa, F; Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto ; Pereira Neto, J R
Fonte: Mat Science Forum. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTISUKE, P et al. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 07 dez. 2025. , 1986
APA
Motisuke, P., Iikawa, F., Caldas, M. J., Fazzio, A., & Pereira Neto, J. R. (1986). On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Motisuke P, Iikawa F, Caldas MJ, Fazzio A, Pereira Neto JR. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.2): 687-92.[citado 2025 dez. 07 ]
Vancouver
Motisuke P, Iikawa F, Caldas MJ, Fazzio A, Pereira Neto JR. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.2): 687-92.[citado 2025 dez. 07 ]

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