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Trabalho de evento-resumo
Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride (2003)
Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Prado, Rogerio Junqueira; Orellana, Walter M; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Pereyra, Inés
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Prado, R. J., Orellana, W. M., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Pereyra, I. (2003). Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
First-principles study of transition metal atoms interacting with single-wall carbon nanotubes (2003)
Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fagan, Solange B; Mota, Ronaldo
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. First-principles study of transition metal atoms interacting with single-wall carbon nanotubes. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, Fagan, S. B., & Mota, R. (2003). First-principles study of transition metal atoms interacting with single-wall carbon nanotubes. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fazzio A, Silva AJR da, Fagan SB, Mota R. First-principles study of transition metal atoms interacting with single-wall carbon nanotubes. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Silva AJR da, Fagan SB, Mota R. First-principles study of transition metal atoms interacting with single-wall carbon nanotubes. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)
Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Adsorption of Si and Ge in monoatomic Si(100) steps (2003)
Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Adsorption of Si and Ge in monoatomic Si(100) steps. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Adsorption of Si and Ge in monoatomic Si(100) steps. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Adsorption of Si and Ge in monoatomic Si(100) steps. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Adsorption of Si and Ge in monoatomic Si(100) steps. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Energetic of nitridation processes in 'SiO IND.2' (2003)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Energetic of nitridation processes in 'SiO IND.2'. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Energetic of nitridation processes in 'SiO IND.2'. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Energetic of nitridation processes in 'SiO IND.2'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Energetic of nitridation processes in 'SiO IND.2'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstract. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties (2003)
Mota, F de Brito; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F de Brito e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, F. de B., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Mota F de B, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Mota F de B, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of beta-'Si IND.3''N IND.4' (0001): electronic and structural properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Adsorption of gold atoms on carbon nanotubes (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Carrijo Faria, J; Silva, Edison Z da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Adsorption of gold atoms on carbon nanotubes. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Carrijo Faria, J., Silva, E. Z. da, & Fazzio, A. (2003). Adsorption of gold atoms on carbon nanotubes. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Silva AJR da, Carrijo Faria J, Silva EZ da, Fazzio A. Adsorption of gold atoms on carbon nanotubes. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silva AJR da, Carrijo Faria J, Silva EZ da, Fazzio A. Adsorption of gold atoms on carbon nanotubes. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]

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