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Trabalho de evento-resumo
On the nature of Mn in semiconductors (2003)
Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto. On the nature of Mn in semiconductors. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 12 dez. 2025.
APA
Fazzio, A. (2003). On the nature of Mn in semiconductors. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fazzio A. On the nature of Mn in semiconductors. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 dez. 12 ]
Vancouver
Fazzio A. On the nature of Mn in semiconductors. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 dez. 12 ]
Trabalho de evento-resumo
The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition (2002)
Peripolli, Suzana B; Silva, Cesar S R da; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
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ABNT
PERIPOLLI, Suzana B e SILVA, Cesar S R da e FAZZIO, Adalberto. The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 12 dez. 2025.
APA
Peripolli, S. B., Silva, C. S. R. da, & Fazzio, A. (2002). The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Peripolli SB, Silva CSR da, Fazzio A. The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 12 ]
Vancouver
Peripolli SB, Silva CSR da, Fazzio A. The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 12 ]
Trabalho de evento-resumo
Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes (2002)
Fagan, Solange Binotto; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Baierle, Rogerio Jose
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 12 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Baierle, R. J. (2002). Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fagan SB, Silva AJR da, Fazzio A, Baierle RJ. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 12 ]
Vancouver
Fagan SB, Silva AJR da, Fazzio A, Baierle RJ. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 12 ]
Trabalho de evento-resumo
Computer simulations of gold nanowires (2002)
Novaes, F D; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Edison Z da
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, COMPUTADORES (SIMULAÇÃO)
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ABNT
NOVAES, F D et al. Computer simulations of gold nanowires. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 12 dez. 2025.
APA
Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Silva, E. Z. da. (2002). Computer simulations of gold nanowires. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A, Silva EZ da. Computer simulations of gold nanowires. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 12 ]
Vancouver
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A, Silva EZ da. Computer simulations of gold nanowires. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 12 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 12 dez. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 12 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 12 ]

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