Fazzio, Adalberto 
; Schmidt, T M
Fonte: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto e SCHMIDT, T M. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum, v. 196-201, p. 421-4, 1995Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.APA
Fazzio, A., & Schmidt, T. M. (1995). Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum, 196-201, 421-4.NLM
Fazzio A, Schmidt TM. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 421-4.[citado 2025 dez. 05 ]Vancouver
Fazzio A, Schmidt TM. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 421-4.[citado 2025 dez. 05 ]
