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Artigo de periodico
IxV Curves of Boron and Nitrogen Doping Zigzag Graphene Nanoribbons (2011)
Padilha, José E ; Silva, Antonio J R da ; Fazzio, Adalberto ; Pontes, Renato B
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PADILHA, José E et al. IxV Curves of Boron and Nitrogen Doping Zigzag Graphene Nanoribbons. International Journal of Quantum Chemistry, v. 111, n. 7-8, p. 1379-1386, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.22690. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Padilha, J. E., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Pontes, R. B. (2011). IxV Curves of Boron and Nitrogen Doping Zigzag Graphene Nanoribbons. International Journal of Quantum Chemistry, 111( 7-8), 1379-1386. doi:10.1002/qua.22690
NLM
Padilha JE, Silva AJR da, Fazzio A, Pontes RB. IxV Curves of Boron and Nitrogen Doping Zigzag Graphene Nanoribbons [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2011 ;111( 7-8): 1379-1386.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.22690
Vancouver
Padilha JE, Silva AJR da, Fazzio A, Pontes RB. IxV Curves of Boron and Nitrogen Doping Zigzag Graphene Nanoribbons [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2011 ;111( 7-8): 1379-1386.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.22690
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface (2005)
Zanella, Ivana; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
ZANELLA, Ivana e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, v. 103, n. 5, p. 557-561, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.20528. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Zanella, I., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2005). Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, 103( 5), 557-561. doi:10.1002/qua.20528
NLM
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Vancouver
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of silicon nitride materials (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, v. 70, p. 973-980, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, 70, 973-980. doi:10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Artigo de periodico
Eletronic states induced by a 'GA' vacancy in the 'GA''AS IND.1-X''P IND.X' alloy (1993)
Scolfaro, L M R; Pintanel, R; Fazzio, Adalberto ; Leite, J. R.
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Eletronic states induced by a 'GA' vacancy in the 'GA''AS IND.1-X''P IND.X' alloy. International Journal of Quantum Chemistry, v. 27, n. suppl., p. 213-7, 1993Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Pintanel, R., Fazzio, A., & Leite, J. R. (1993). Eletronic states induced by a 'GA' vacancy in the 'GA''AS IND.1-X''P IND.X' alloy. International Journal of Quantum Chemistry, 27( suppl.), 213-7.
NLM
Scolfaro LMR, Pintanel R, Fazzio A, Leite JR. Eletronic states induced by a 'GA' vacancy in the 'GA''AS IND.1-X''P IND.X' alloy. International Journal of Quantum Chemistry. 1993 ;27( suppl.): 213-7.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Pintanel R, Fazzio A, Leite JR. Eletronic states induced by a 'GA' vacancy in the 'GA''AS IND.1-X''P IND.X' alloy. International Journal of Quantum Chemistry. 1993 ;27( suppl.): 213-7.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors (1992)
Fazzio, Adalberto ; Cunha, C R M; Canuto, Sylvio Roberto Accioly
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: ELETRICIDADE E ELETRONICA (FISICA), MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto e CUNHA, C R M e CANUTO, Sylvio Roberto Accioly. Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry, n. 26 suppl., p. 667-72, 1992Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Cunha, C. R. M., & Canuto, S. R. A. (1992). Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry, (26 suppl.), 667-72.
NLM
Fazzio A, Cunha CRM, Canuto SRA. Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry. 1992 ;(26 suppl.): 667-72.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Cunha CRM, Canuto SRA. Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry. 1992 ;(26 suppl.): 667-72.[citado 2025 dez. 05 ]

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