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Artigo de periodico
Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study (2009)
Arantes, José Tadeu; Lima, M P; Fazzio, Adalberto ; Xiang, H; Wei, Su-Huai; Dalpian, Gustavo Martini
Fonte: Journal of Physical Chemistry B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
ARANTES, José Tadeu et al. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, v. 113, n. 16, p. 5376-5380, 2009Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Arantes, J. T., Lima, M. P., Fazzio, A., Xiang, H., Wei, S. -H., & Dalpian, G. M. (2009). Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, 113( 16), 5376-5380. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
NLM
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Vancouver
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Artigo de periodico
Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2' (2004)
Scopel, W L; Silva, Antonio Jose Roque da ; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOPEL, W L et al. Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2'. Applied Physics Letters, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2'. Applied Physics Letters. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana W, Fazzio A. Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2' [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana W, Fazzio A. Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2' [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Ab initio study of an iron atom interacting with single-wall carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange B; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, CONDUÇÃO
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ABNT
FAGAN, Solange B et al. Ab initio study of an iron atom interacting with single-wall carbon nanotubes. Physical Review B, v. 67, n. 20, p. 205414/1-205414/5, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.205414. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Ab initio study of an iron atom interacting with single-wall carbon nanotubes. Physical Review B, 67( 20), 205414/1-205414/5. doi:10.1103/physrevb.67.205414
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of an iron atom interacting with single-wall carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205414/1-205414/5.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.205414
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of an iron atom interacting with single-wall carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205414/1-205414/5.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.205414
Trabalho de evento-resumo
Si incorporation in Si(100) steps (2002)
Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Venezuela, Pedro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Si incorporation in Si(100) steps. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, Venezuela, P., & Fazzio, A. (2002). Si incorporation in Si(100) steps. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Venezuela P, Fazzio A. Si incorporation in Si(100) steps. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Venezuela P, Fazzio A. Si incorporation in Si(100) steps. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100) (2002)
Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2002). Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface (2002)
Mota, Fernando de Brito; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e FAZZIO, Adalberto. First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Fazzio A. First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Mota F de B, Fazzio A. First principles investigations of electronics and structural properties of the 'beta'-'Si IND.3' 'Na IND.4'(001) surface. Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects (2001)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, MUDANÇA DE FASE, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, v. 308, p. 470-473, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, 308, 470-473. doi:10.1016/s0921-4526(01)00743-8
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8

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