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Filtros : "ENGENHARIA DE ELETRICIDADE" "MARTINO, JOAO ANTONIO" Limpar

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  • Tese (Doutorado)

    Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm (1988)

    Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus (Orientador)

    Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINO, João Antonio. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/. Acesso em: 18 out. 2024.

    • APA

      Martino, J. A. (1988). Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/

    • NLM

      Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2024 out. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/

    • Vancouver

      Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2024 out. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/

  • Dissertação (Mestrado)

    Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino (1984)

    Martino, João Antonio ; Zuffo, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), SILÍCIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINO, João Antonio. Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino. 1984. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1984. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-102807/. Acesso em: 18 out. 2024.

    • APA

      Martino, J. A. (1984). Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-102807/

    • NLM

      Martino JA. Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino [Internet]. 1984 ;[citado 2024 out. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-102807/

    • Vancouver

      Martino JA. Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino [Internet]. 1984 ;[citado 2024 out. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-102807/
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