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Trabalho de evento-resumo
Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond (1988)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1988). Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon (1988)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy (1988)
Dal Pino Junior, A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
DAL PINO JUNIOR, A e SILVA, Euzi Conceição Fernandes da e LEITE, J. R. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Dal Pino Junior, A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (1988). Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Dal Pino Junior A, Silva ECF da, Leite JR. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Dal Pino Junior A, Silva ECF da, Leite JR. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon (1987)
Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference Physics Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. 1987, Anais.. Singapore: World Scientific, 1987. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1987). Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2025 dez. 09 ]
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Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon (1985)
Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Leite, J. R. (1985). Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
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Leite JR. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P' (1985)
Silva, C E T G; Makiuchi, N; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
SILVA, C E T G e MAKIUCHI, N e LEITE, J. R. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. 1985, Anais.. San Francisco: Springer, 1985. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Silva, C. E. T. G., Makiuchi, N., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. In Proceedings. San Francisco: Springer.
NLM
Silva CETG, Makiuchi N, Leite JR. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Silva CETG, Makiuchi N, Leite JR. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Current research on semiconductor physics (1985)
Leite, J. R.; Silva, C E T
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Semiconductor Physics. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. e SILVA, C E T. Current research on semiconductor physics. 1985, Anais.. São Paulo: Usp, 1985. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Leite, J. R., & Silva, C. E. T. (1985). Current research on semiconductor physics. In Proceedings. São Paulo: Usp.
NLM
Leite JR, Silva CET. Current research on semiconductor physics. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Leite JR, Silva CET. Current research on semiconductor physics. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon (1985)
Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1985). Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy (1985)
Leite, J. R.; Alves, H W L; Alves, J L A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. e ALVES, H W L e ALVES, J L A. Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Leite, J. R., Alves, H. W. L., & Alves, J. L. A. (1985). Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Alves HWL, Alves JLA. Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
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Leite JR, Alves HWL, Alves JLA. Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method (1985)
Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Leite, J. R. (1985). Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR. Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Leite JR. Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 09 ]

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