ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento
A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate (2003)
Giacomini, Renato Camargo; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Workshop IBERSHIP. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GIACOMINI, Renato Camargo e MARTINO, João Antonio. A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate. 2003, Anais.. Havana: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2003. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Giacomini, R. C., & Martino, J. A. (2003). A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate. In Proceedings. Havana: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Giacomini RC, Martino JA. A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate. Proceedings. 2003 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Giacomini RC, Martino JA. A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate. Proceedings. 2003 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Operation of double gate graded-channel transistors at low temperatures (2003)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Chung, Tae Mo; Kranti, A.; Raskin, Jean-Pierre; Flandre, Denis
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Symposium on Low Temperature Electronics. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio et al. Operation of double gate graded-channel transistors at low temperatures. 2003, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2003. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., Chung, T. M., Kranti, A., Raskin, J. -P., & Flandre, D. (2003). Operation of double gate graded-channel transistors at low temperatures. In Proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Chung TM, Kranti A, Raskin J-P, Flandre D. Operation of double gate graded-channel transistors at low temperatures. Proceedings. 2003 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Chung TM, Kranti A, Raskin J-P, Flandre D. Operation of double gate graded-channel transistors at low temperatures. Proceedings. 2003 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Halo effects on 0.13 μm floating-body partially depleted SOI n-MOSFETs in low temperature operation (2003)
Martino, João Antonio ; Pavanello, Marcelo Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Symposium on Low Temperature Electronics. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio et al. Halo effects on 0.13 μm floating-body partially depleted SOI n-MOSFETs in low temperature operation. 2003, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2003. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Martino, J. A., Pavanello, M. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2003). Halo effects on 0.13 μm floating-body partially depleted SOI n-MOSFETs in low temperature operation. In Proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Martino JA, Pavanello MA, Simoen E, Claeys C. Halo effects on 0.13 μm floating-body partially depleted SOI n-MOSFETs in low temperature operation. Proceedings. 2003 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Martino JA, Pavanello MA, Simoen E, Claeys C. Halo effects on 0.13 μm floating-body partially depleted SOI n-MOSFETs in low temperature operation. Proceedings. 2003 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI NMOSFET devices (2001)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI NMOSFET devices. 2001, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2001. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2001). Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI NMOSFET devices. In Proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI NMOSFET devices. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI NMOSFET devices. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Analog circuit design using graded-channel SOI NMOSFETs (2001)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Symposium on Integrated Circuits and Systems Design. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, Denis. Analog circuit design using graded-channel SOI NMOSFETs. 2001, Anais.. Piscataway: IEEE, 2001. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., & Flandre, D. (2001). Analog circuit design using graded-channel SOI NMOSFETs. In Proceedings. Piscataway: IEEE.
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Flandre D. Analog circuit design using graded-channel SOI NMOSFETs. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Flandre D. Analog circuit design using graded-channel SOI NMOSFETs. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
High performance current mirrors using graded-channel SOI NMOSFETs (2001)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, Denis. High performance current mirrors using graded-channel SOI NMOSFETs. 2001, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2001. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., & Flandre, D. (2001). High performance current mirrors using graded-channel SOI NMOSFETs. In Proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Flandre D. High performance current mirrors using graded-channel SOI NMOSFETs. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Flandre D. High performance current mirrors using graded-channel SOI NMOSFETs. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Modeling of the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs for high-temperature applications (2001)
Bellodi, Marcello; Iniguez, Benjamin; Flandre, Denis ; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello et al. Modeling of the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs for high-temperature applications. 2001, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2001. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bellodi, M., Iniguez, B., Flandre, D., & Martino, J. A. (2001). Modeling of the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs for high-temperature applications. In Proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Bellodi M, Iniguez B, Flandre D, Martino JA. Modeling of the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs for high-temperature applications. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Bellodi M, Iniguez B, Flandre D, Martino JA. Modeling of the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs for high-temperature applications. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor (2001)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. 2001, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2001. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2001). Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. In Proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Comparison of floating-body effects in conventional and graded-channel fully-depleted silicon-on-insulator nMOSFETs (2000)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis
Fonte: Proceedings. Nome do evento: IEEE International Conference on Devices, Circuits and Syems. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, Denis. Comparison of floating-body effects in conventional and graded-channel fully-depleted silicon-on-insulator nMOSFETs. 2000, Anais.. Piscataway: IEEE, 2000. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., & Flandre, D. (2000). Comparison of floating-body effects in conventional and graded-channel fully-depleted silicon-on-insulator nMOSFETs. In Proceedings. Piscataway: IEEE.
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Flandre D. Comparison of floating-body effects in conventional and graded-channel fully-depleted silicon-on-insulator nMOSFETs. Proceedings. 2000 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Flandre D. Comparison of floating-body effects in conventional and graded-channel fully-depleted silicon-on-insulator nMOSFETs. Proceedings. 2000 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
A new method to extract the LDD doping concentration on fully depleted SOI nMOSFET at 300 K (2000)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Proceedings. Nome do evento: IEEE International Conference on Devices, Circuits and Syems. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. A new method to extract the LDD doping concentration on fully depleted SOI nMOSFET at 300 K. 2000, Anais.. Piscataway: IEEE, 2000. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2000). A new method to extract the LDD doping concentration on fully depleted SOI nMOSFET at 300 K. In Proceedings. Piscataway: IEEE.
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. A new method to extract the LDD doping concentration on fully depleted SOI nMOSFET at 300 K. Proceedings. 2000 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. A new method to extract the LDD doping concentration on fully depleted SOI nMOSFET at 300 K. Proceedings. 2000 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom) (1997)
Hoashi, P T; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HOASHI, P T e MARTINO, João Antonio. Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Hoashi, P. T., & Martino, J. A. (1997). Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Gutierrez, E A
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio e GUTIERREZ, E A. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., & Gutierrez, E. A. (1997). Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Gutierrez EA. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Gutierrez EA. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom) (1997)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1997). A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Pavanello MA, Martino JA. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom) (1997)
Bertini, J; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERTINI, J e MARTINO, João Antonio. Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bertini, J., & Martino, J. A. (1997). Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bertini J, Martino JA. Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Bertini J, Martino JA. Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom) (1997)
Martino, João Antonio ; Pavanello, Marcelo Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio e PAVANELLO, Marcelo Antonio. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Martino, J. A., & Pavanello, M. A. (1997). A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Martino JA, Pavanello MA. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Martino JA, Pavanello MA. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET (1997)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET. 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1997). Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET. In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET. Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET. Proceedings. 1997 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets (1996)
Martino, João Antonio ; Pavanello, Marcelo Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio e PAVANELLO, Marcelo Antonio. New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Martino, J. A., & Pavanello, M. A. (1996). New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Martino JA, Pavanello MA. New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Martino JA, Pavanello MA. New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model (1996)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, Denis. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Bellodi, M., Martino, J. A., & Flandre, D. (1996). Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Trabalho de evento
Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet (1996)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 09 dez. 2025.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1996). Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 dez. 09 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 dez. 09 ]

Unidades USP

ReP

Filtros

Autores

Ano de publicação

Editora

Nome do evento