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  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assuntos: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      ZANATTA, Antonio Ricardo. An alternative experimental approach to produce rare-earth-doped SiOx films. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 14, p. 145302-1-145302-5, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4945677. Acesso em: 23 nov. 2025.
    • APA

      Zanatta, A. R. (2016). An alternative experimental approach to produce rare-earth-doped SiOx films. Journal of Applied Physics, 119( 14), 145302-1-145302-5. doi:10.1063/1.4945677
    • NLM

      Zanatta AR. An alternative experimental approach to produce rare-earth-doped SiOx films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 14): 145302-1-145302-5.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4945677
    • Vancouver

      Zanatta AR. An alternative experimental approach to produce rare-earth-doped SiOx films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 14): 145302-1-145302-5.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4945677
  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

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    • ABNT

      CAFACE, R. A. et al. Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 6, p. 064315-1-064315-4, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4792301. Acesso em: 23 nov. 2025.
    • APA

      Caface, R. A., Guimarães, F. E. G., Arakaki, H., Souza, C. A. de, & Pusep, Y. A. (2013). Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, 113( 6), 064315-1-064315-4. doi:10.1063/1.4792301
    • NLM

      Caface RA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 6): 064315-1-064315-4.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4792301
    • Vancouver

      Caface RA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 6): 064315-1-064315-4.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4792301
  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assuntos: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, POÇOS QUÂNTICOS, ÓPTICA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      GUZUN, D. et al. Effect of resonant tunneling on exciton dynamics in coupled dot-well nanostructures. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 15, p. 154304-1-154304-5, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4801891. Acesso em: 23 nov. 2025.
    • APA

      Guzun, D., Mazur, Y. I., Dorogan, V. G., Ware, M. E., Marega Junior, E., Tarasov, G. G., et al. (2013). Effect of resonant tunneling on exciton dynamics in coupled dot-well nanostructures. Journal of Applied Physics, 113( 15), 154304-1-154304-5. doi:10.1063/1.4801891
    • NLM

      Guzun D, Mazur YI, Dorogan VG, Ware ME, Marega Junior E, Tarasov GG, Lienau C, Salamo GJ. Effect of resonant tunneling on exciton dynamics in coupled dot-well nanostructures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 15): 154304-1-154304-5.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4801891
    • Vancouver

      Guzun D, Mazur YI, Dorogan VG, Ware ME, Marega Junior E, Tarasov GG, Lienau C, Salamo GJ. Effect of resonant tunneling on exciton dynamics in coupled dot-well nanostructures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 15): 154304-1-154304-5.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4801891
  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assuntos: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, ELÉTRONS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      TEODORO, M. D. et al. In-plane mapping of buried 'In''Ga''As' quantum rings and hybridization effects on the electronic structure. Journal of Applied Physics, v. 112, n. 1, p. 014319-1-014319-9, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4733964. Acesso em: 23 nov. 2025.
    • APA

      Teodoro, M. D., Malachias, A., Oliveira, V. L., Cesar, D. F., Richard, V. L., Marques, G. E., et al. (2012). In-plane mapping of buried 'In''Ga''As' quantum rings and hybridization effects on the electronic structure. Journal of Applied Physics, 112( 1), 014319-1-014319-9. doi:10.1063/1.4733964
    • NLM

      Teodoro MD, Malachias A, Oliveira VL, Cesar DF, Richard VL, Marques GE, Marega Junior E, Benamara M, Mazur YI, Salamo GJ. In-plane mapping of buried 'In''Ga''As' quantum rings and hybridization effects on the electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 112( 1): 014319-1-014319-9.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4733964
    • Vancouver

      Teodoro MD, Malachias A, Oliveira VL, Cesar DF, Richard VL, Marques GE, Marega Junior E, Benamara M, Mazur YI, Salamo GJ. In-plane mapping of buried 'In''Ga''As' quantum rings and hybridization effects on the electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 112( 1): 014319-1-014319-9.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4733964

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