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Artigo de periodico
Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors (2024)
Valente, Gustavo Targino ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), SEMICONDUTORES, ÓPTICA, CÁLCULO DE PROBABILIDADE
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ABNT
VALENTE, Gustavo Targino e GUIMARÃES, Francisco Eduardo Gontijo. Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors. Journal of Applied Physics, v. 136, n. 8, p. 084501-1-084501-8, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0218020. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Valente, G. T., & Guimarães, F. E. G. (2024). Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors. Journal of Applied Physics, 136( 8), 084501-1-084501-8. doi:10.1063/5.0218020
NLM
Valente GT, Guimarães FEG. Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 136( 8): 084501-1-084501-8.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0218020
Vancouver
Valente GT, Guimarães FEG. Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 136( 8): 084501-1-084501-8.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0218020
Artigo de periodico
Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires (2013)
Caface, R. A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Pusep, Yuri A
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
CAFACE, R. A. et al. Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 6, p. 064315-1-064315-4, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4792301. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Caface, R. A., Guimarães, F. E. G., Arakaki, H., Souza, C. A. de, & Pusep, Y. A. (2013). Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, 113( 6), 064315-1-064315-4. doi:10.1063/1.4792301
NLM
Caface RA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 6): 064315-1-064315-4.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4792301
Vancouver
Caface RA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Photoluminescence of radial heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 6): 064315-1-064315-4.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4792301
Artigo de periodico
The role of quantum confinement and crystalline structure on excitonic lifetimes in silicon nanoclusters (2010)
Borrero-González, L. J.; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Andreeta, Marcello Rubens Barsi; Wojcik, J.; Mascher, P.; Pusep, Yuri A ; Comedi, D.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, TEMPERATURA (VARIAÇÃO)
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ABNT
BORRERO-GONZÁLEZ, L. J. et al. The role of quantum confinement and crystalline structure on excitonic lifetimes in silicon nanoclusters. Journal of Applied Physics, v. 108, n. 1, p. 013105-1-013105-5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3457900. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Borrero-González, L. J., Nunes, L. A. de O., Andreeta, M. R. B., Wojcik, J., Mascher, P., Pusep, Y. A., et al. (2010). The role of quantum confinement and crystalline structure on excitonic lifetimes in silicon nanoclusters. Journal of Applied Physics, 108( 1), 013105-1-013105-5. doi:10.1063/1.3457900
NLM
Borrero-González LJ, Nunes LA de O, Andreeta MRB, Wojcik J, Mascher P, Pusep YA, Comedi D, Guimarães FEG. The role of quantum confinement and crystalline structure on excitonic lifetimes in silicon nanoclusters [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 1): 013105-1-013105-5.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3457900
Vancouver
Borrero-González LJ, Nunes LA de O, Andreeta MRB, Wojcik J, Mascher P, Pusep YA, Comedi D, Guimarães FEG. The role of quantum confinement and crystalline structure on excitonic lifetimes in silicon nanoclusters [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 1): 013105-1-013105-5.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3457900
Artigo de periodico
Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure (2010)
Berengue, O. M.; Simon, R. A.; Chiquito, A. J.; Dalmaschio, C. J.; Leite, E. R.; Guerreiro, H. A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, OXIDAÇÃO, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BERENGUE, O. M. et al. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 3, p. 033717-1-033717-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3294613. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Berengue, O. M., Simon, R. A., Chiquito, A. J., Dalmaschio, C. J., Leite, E. R., Guerreiro, H. A., & Guimarães, F. E. G. (2010). Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, 107( 3), 033717-1-033717-4. doi:10.1063/1.3294613
NLM
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Vancouver
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Artigo de periodico
Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers (2008)
Pusep, Yuri A ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: EFEITO HALL, POÇOS QUÂNTICOS (ESTRUTURA), SEMICONDUTIVIDADE
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, v. 104, p. 063702-1-063702-6, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.036. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Arakaki, H., & Souza, C. A. de. (2008). Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, 104, 063702-1-063702-6. doi:10.1016/j.physe.2007.09.036
NLM
Pusep YA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de. Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104 063702-1-063702-6.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.036
Vancouver
Pusep YA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de. Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104 063702-1-063702-6.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.036

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