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  • Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      SANTOS, Sara Dereste dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/. Acesso em: 17 nov. 2025.
    • APA

      Santos, S. D. dos. (2010). Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
    • NLM

      Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
    • Vancouver

      Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/

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