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Trabalho de evento-resumo
Análise da frequência de plasma em nanoestruturas semicondutoras dopadas tipo-p baseadas no grupo III-V (2013)
Santos, Osmar Francisco Pinto dos; Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro; Silva Junior, Eronides Felisberto da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
SANTOS, Osmar Francisco Pinto dos et al. Análise da frequência de plasma em nanoestruturas semicondutoras dopadas tipo-p baseadas no grupo III-V. 2013, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0314-1.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Santos, O. F. P. dos, Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. da. (2013). Análise da frequência de plasma em nanoestruturas semicondutoras dopadas tipo-p baseadas no grupo III-V. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0314-1.pdf
NLM
Santos OFP dos, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF da. Análise da frequência de plasma em nanoestruturas semicondutoras dopadas tipo-p baseadas no grupo III-V [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0314-1.pdf
Vancouver
Santos OFP dos, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF da. Análise da frequência de plasma em nanoestruturas semicondutoras dopadas tipo-p baseadas no grupo III-V [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0314-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Polarizações de spins e transições eletrônicas em semicondutores magnéticos diluídos do grupo II-VI (2013)
Gomes, Jandrews Lins; Rodrigues, Sara C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Silva Júnior, Eronides Felisberto da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN
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ABNT
GOMES, Jandrews Lins et al. Polarizações de spins e transições eletrônicas em semicondutores magnéticos diluídos do grupo II-VI. 2013, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Gomes, J. L., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Júnior, E. F. da. (2013). Polarizações de spins e transições eletrônicas em semicondutores magnéticos diluídos do grupo II-VI. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf
NLM
Gomes JL, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF da. Polarizações de spins e transições eletrônicas em semicondutores magnéticos diluídos do grupo II-VI [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf
Vancouver
Gomes JL, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF da. Polarizações de spins e transições eletrônicas em semicondutores magnéticos diluídos do grupo II-VI [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) (2013)
Costa, Harliton Jonas da; David, Denis G F; Silva, Antonio Ferreira da; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao; Freitas Junior, Jaime A
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA (CONGRESSOS), FILMES FINOS (CONGRESSOS)
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ABNT
COSTA, Harliton Jonas da et al. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). 2013, Anais.. São Paulo: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Costa, H. J. da, David, D. G. F., Silva, A. F. da, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., & Freitas Junior, J. A. (2013). Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
NLM
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
Vancouver
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Quasi-elastic barrier distribution of the 18O +64 Zn system (2013)
Pari-Huíza, Juan Felix; Crema, Edilson
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA (CONGRESSOS)
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ABNT
PARI-HUÍZA, Juan Felix e CREMA, Edilson. Quasi-elastic barrier distribution of the 18O +64 Zn system. 2013, Anais.. São Paulo: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0339-1.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Pari-Huíza, J. F., & Crema, E. (2013). Quasi-elastic barrier distribution of the 18O +64 Zn system. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0339-1.pdf
NLM
Pari-Huíza JF, Crema E. Quasi-elastic barrier distribution of the 18O +64 Zn system [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0339-1.pdf
Vancouver
Pari-Huíza JF, Crema E. Quasi-elastic barrier distribution of the 18O +64 Zn system [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0339-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Cooperative upconversion, radiation trapping end self-quenching effects in highly Yb3+ - doped oxyfluoride glasses (2013)
Santos, W. Q.; Silva, W. F.; Jacinto, C.; de Camargo, Andrea Simone Stucchi ; Wu, D.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IFSC
Subjects: VIDROS METÁLICOS, TERRAS RARAS
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ABNT
SANTOS, W. Q. et al. Cooperative upconversion, radiation trapping end self-quenching effects in highly Yb3+ - doped oxyfluoride glasses. 2013, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0269-1.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Santos, W. Q., Silva, W. F., Jacinto, C., de Camargo, A. S. S., & Wu, D. (2013). Cooperative upconversion, radiation trapping end self-quenching effects in highly Yb3+ - doped oxyfluoride glasses. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0269-1.pdf
NLM
Santos WQ, Silva WF, Jacinto C, de Camargo ASS, Wu D. Cooperative upconversion, radiation trapping end self-quenching effects in highly Yb3+ - doped oxyfluoride glasses [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0269-1.pdf
Vancouver
Santos WQ, Silva WF, Jacinto C, de Camargo ASS, Wu D. Cooperative upconversion, radiation trapping end self-quenching effects in highly Yb3+ - doped oxyfluoride glasses [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0269-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Análise das propriedades eletrônicas e ópticas em semicondutores diluídos de nitretos (2013)
Oliveira, Thiago Freire de; Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Sipahi, Guilherme Matos; Silva Junior, Eronides Felisberto da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Thiago Freire de et al. Análise das propriedades eletrônicas e ópticas em semicondutores diluídos de nitretos. 2013, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0719-1.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Oliveira, T. F. de, Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. da. (2013). Análise das propriedades eletrônicas e ópticas em semicondutores diluídos de nitretos. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0719-1.pdf
NLM
Oliveira TF de, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF da. Análise das propriedades eletrônicas e ópticas em semicondutores diluídos de nitretos [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0719-1.pdf
Vancouver
Oliveira TF de, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF da. Análise das propriedades eletrônicas e ópticas em semicondutores diluídos de nitretos [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0719-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Investigacão das propriedades opto-eletrônicas em SMDs baseados no InGaAs (2013)
Gomes, Jandrews Lins; Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Sipahi, Guilherme Matos; Silva Júnior, Eronides Felisberto da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SPINTRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Jandrews Lins et al. Investigacão das propriedades opto-eletrônicas em SMDs baseados no InGaAs. 2013, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0009-1.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Gomes, J. L., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Júnior, E. F. da. (2013). Investigacão das propriedades opto-eletrônicas em SMDs baseados no InGaAs. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0009-1.pdf
NLM
Gomes JL, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF da. Investigacão das propriedades opto-eletrônicas em SMDs baseados no InGaAs [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0009-1.pdf
Vancouver
Gomes JL, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF da. Investigacão das propriedades opto-eletrônicas em SMDs baseados no InGaAs [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0009-1.pdf

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