Electronic properties of multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS' (1991)
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
DEGANI, Marcos Henrique. Electronic properties of multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Journal of Applied Physics, v. 70, n. 8 , p. 4362-5, 1991Tradução . . Acesso em: 09 nov. 2025.APA
Degani, M. H. (1991). Electronic properties of multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Journal of Applied Physics, 70( 8 ), 4362-5.NLM
Degani MH. Electronic properties of multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Journal of Applied Physics. 1991 ;70( 8 ): 4362-5.[citado 2025 nov. 09 ]Vancouver
Degani MH. Electronic properties of multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Journal of Applied Physics. 1991 ;70( 8 ): 4362-5.[citado 2025 nov. 09 ]
