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  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

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    • ABNT

      HAHN, S et al. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters, v. 50, n. 7 , p. 401-3, 1987Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Hahn, S., Arst, M., Rek, Z. U., Stojanoff, V., Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., & Tiller, W. A. (1987). Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters, 50( 7 ), 401-3.
    • NLM

      Hahn S, Arst M, Rek ZU, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE, Tiller WA. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters. 1987 ;50( 7 ): 401-3.[citado 2025 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Hahn S, Arst M, Rek ZU, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE, Tiller WA. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters. 1987 ;50( 7 ): 401-3.[citado 2025 nov. 04 ]
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      GOMES, V M S e LEITE, J. R. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, v. 47, p. 824-6, 1985Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, 47, 824-6.
    • NLM

      Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2025 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2025 nov. 04 ]

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