ReP USP - Resultado da busca

Filtros : "Applied Physics Letters" "Frey, T" Limpar

Filtros

Artigo de periodico
Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain (2002)
Tabata, A; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Kharchenko, A; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K; Furthmüller, J; Bechstedt, F
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, v. 80, n. 5, p. 769-771, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1436270. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Kharchenko, A., Frey, T., et al. (2002). Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, 80( 5), 769-771. doi:10.1063/1.1436270
NLM
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270
Vancouver
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270
Artigo de periodico
Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure (2001)
Husberg, O; Khartchenko, A; As, D J; Vogelsang, H; Frey, T; Schikora, D; Noriega, O C; Tabata, A; Leite, J. R.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HUSBERG, O et al. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure. Applied Physics Letters, v. 79, n. 9, p. 1243-1245, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1396314. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Husberg, O., Khartchenko, A., As, D. J., Vogelsang, H., Frey, T., Schikora, D., et al. (2001). Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure. Applied Physics Letters, 79( 9), 1243-1245. doi:10.1063/1.1396314
NLM
Husberg O, Khartchenko A, As DJ, Vogelsang H, Frey T, Schikora D, Noriega OC, Tabata A, Leite JR. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 9): 1243-1245.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1396314
Vancouver
Husberg O, Khartchenko A, As DJ, Vogelsang H, Frey T, Schikora D, Noriega OC, Tabata A, Leite JR. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 9): 1243-1245.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1396314

Biblioteca Digital de Produção Intelectual da Universidade de São Paulo 2012 - 2025