In-place bonded semiconductor membranes as compliant substrates for III–V compound devices (2019)
Garcia Jr., Ailton J. 
; Rodrigues, Leonarde N.; Silva, Saimon Filipe Covre da; Morelhão, Sergio L. ; Couto Jr., Odilon D. D. ; Iikawa, Fernando ; Deneke, Christoph
Assuntos: CRISTALOGRAFIA, RADIAÇÃO SINCROTRON, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
GARCIA JR., Ailton J. et al. In-place bonded semiconductor membranes as compliant substrates for III–V compound devices. Nanoscale, v. 11, n. 8, p. 3748–3756, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/c8nr08727j. Acesso em: 03 nov. 2025.APA
Garcia Jr., A. J., Rodrigues, L. N., Silva, S. F. C. da, Morelhão, S. L., Couto Jr., O. D. D., Iikawa, F., & Deneke, C. (2019). In-place bonded semiconductor membranes as compliant substrates for III–V compound devices. Nanoscale, 11( 8), 3748–3756. doi:10.1039/c8nr08727jNLM
Garcia Jr. AJ, Rodrigues LN, Silva SFC da, Morelhão SL, Couto Jr. ODD, Iikawa F, Deneke C. In-place bonded semiconductor membranes as compliant substrates for III–V compound devices [Internet]. Nanoscale. 2019 ; 11( 8): 3748–3756.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c8nr08727jVancouver
Garcia Jr. AJ, Rodrigues LN, Silva SFC da, Morelhão SL, Couto Jr. ODD, Iikawa F, Deneke C. In-place bonded semiconductor membranes as compliant substrates for III–V compound devices [Internet]. Nanoscale. 2019 ; 11( 8): 3748–3756.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c8nr08727j
