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  • Fonte: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state. Physical Review B, v. 96, n. 4, p. 045304/1-045304/5, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304. Acesso em: 16 nov. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Kozlov, D. A., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2017). Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state. Physical Review B, 96( 4), 045304/1-045304/5. doi:10.1103/PhysRevB.96.045304
    • NLM

      Gusev GM, Kozlov DA, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state [Internet]. Physical Review B. 2017 ;96( 4): 045304/1-045304/5.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304
    • Vancouver

      Gusev GM, Kozlov DA, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state [Internet]. Physical Review B. 2017 ;96( 4): 045304/1-045304/5.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304
  • Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      RAHIM, Ahmad Ali Abdul et al. Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75. Acesso em: 16 nov. 2024.
    • APA

      Rahim, A. A. A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2013). Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75
    • NLM

      Rahim AAA, Gusev GM, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75
    • Vancouver

      Rahim AAA, Gusev GM, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75
  • Unidade: IF

    Assunto: EFEITO HALL

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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Quantum hall effect in n-p-n and n-2D topological insulator-n junctions. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.3523v1.pdf. Acesso em: 16 nov. 2024. , 2013
    • APA

      Gusev, G. M., Levine, A., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2013). Quantum hall effect in n-p-n and n-2D topological insulator-n junctions. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.3523v1.pdf
    • NLM

      Gusev GM, Levine A, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Quantum hall effect in n-p-n and n-2D topological insulator-n junctions [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.3523v1.pdf
    • Vancouver

      Gusev GM, Levine A, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Quantum hall effect in n-p-n and n-2D topological insulator-n junctions [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.3523v1.pdf
  • Fonte: PHYSICAL REVIEW D. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      GUSEV, G M et al. Transport in disordered two-dimensional topological insulators. PHYSICAL REVIEW D, v. 84, n. 12, p. 121302, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.121302. Acesso em: 16 nov. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Shegai, O. A., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., & Portal, J. C. (2011). Transport in disordered two-dimensional topological insulators. PHYSICAL REVIEW D, 84( 12), 121302. doi:10.1103/PhysRevB.84.121302
    • NLM

      Gusev GM, Kvon ZD, Shegai OA, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Portal JC. Transport in disordered two-dimensional topological insulators [Internet]. PHYSICAL REVIEW D. 2011 ;84( 12): 121302.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.121302
    • Vancouver

      Gusev GM, Kvon ZD, Shegai OA, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Portal JC. Transport in disordered two-dimensional topological insulators [Internet]. PHYSICAL REVIEW D. 2011 ;84( 12): 121302.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.121302
  • Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GUSEV, G M et al. Transport in disordered two-dimensional topological insulator. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.1824v1.pdf. Acesso em: 16 nov. 2024. , 2011
    • APA

      Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Shegai, O. A., Portal, J. C., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2011). Transport in disordered two-dimensional topological insulator. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.1824v1.pdf
    • NLM

      Gusev GM, Kvon ZD, Shegai OA, Portal JC, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Transport in disordered two-dimensional topological insulator [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.1824v1.pdf
    • Vancouver

      Gusev GM, Kvon ZD, Shegai OA, Portal JC, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Transport in disordered two-dimensional topological insulator [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.1824v1.pdf
  • Fonte: JETP Letters. Unidade: IF

    Assunto: POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      OLSHANETSKYA, E B et al. Weak antilocalization in HgTe quantum wells near a topological transition. JETP Letters, v. 91, n. 7, p. 347-350, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1134/S0021364010070052. Acesso em: 16 nov. 2024.
    • APA

      Olshanetskya, E. B., Kvon, Z. D., Gusev, G. M., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., & Portal, J. C. (2010). Weak antilocalization in HgTe quantum wells near a topological transition. JETP Letters, 91( 7), 347-350. doi:10.1134/S0021364010070052
    • NLM

      Olshanetskya EB, Kvon ZD, Gusev GM, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Portal JC. Weak antilocalization in HgTe quantum wells near a topological transition [Internet]. JETP Letters. 2010 ; 91( 7): 347-350.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1134/S0021364010070052
    • Vancouver

      Olshanetskya EB, Kvon ZD, Gusev GM, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Portal JC. Weak antilocalization in HgTe quantum wells near a topological transition [Internet]. JETP Letters. 2010 ; 91( 7): 347-350.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1134/S0021364010070052

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