Source: Anais da Faculdade de Odontologia de Ribeirão Preto da Universidade de São Paulo. Conference titles: Jornada Odontológica de Ribeirão Preto - JORP. Unidades: FORP, FFCLRP
Subjects: SEMICONDUTORES, CIMENTO RESINOSO, FOTOCATÁLISE, AGENTES ANTIMICROBIANOS
ABNT
KREVE, Simone et al. Incorporação do semicondutor (ß-AGVO3) em cimento resinoso dual: análise das propriedades físicomecânicas e microbiológicas. Anais da Faculdade de Odontologia de Ribeirão Preto da Universidade de São Paulo. Ribeirão Preto: FORP-USP. Disponível em: https://www.forp.usp.br/wp-content/uploads/2022/01/Volume-37-43a-JORP-2021-reduzido.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024. , 2021APA
Kreve, S., Botelho, A. L., Valente, M. L. da C., Bachmann, L., Schiavon, M. A., & Reis, A. C. dos. (2021). Incorporação do semicondutor (ß-AGVO3) em cimento resinoso dual: análise das propriedades físicomecânicas e microbiológicas. Anais da Faculdade de Odontologia de Ribeirão Preto da Universidade de São Paulo. Ribeirão Preto: FORP-USP. Recuperado de https://www.forp.usp.br/wp-content/uploads/2022/01/Volume-37-43a-JORP-2021-reduzido.pdfNLM
Kreve S, Botelho AL, Valente ML da C, Bachmann L, Schiavon MA, Reis AC dos. Incorporação do semicondutor (ß-AGVO3) em cimento resinoso dual: análise das propriedades físicomecânicas e microbiológicas [Internet]. Anais da Faculdade de Odontologia de Ribeirão Preto da Universidade de São Paulo. 2021 ; 37 [472].[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://www.forp.usp.br/wp-content/uploads/2022/01/Volume-37-43a-JORP-2021-reduzido.pdfVancouver
Kreve S, Botelho AL, Valente ML da C, Bachmann L, Schiavon MA, Reis AC dos. Incorporação do semicondutor (ß-AGVO3) em cimento resinoso dual: análise das propriedades físicomecânicas e microbiológicas [Internet]. Anais da Faculdade de Odontologia de Ribeirão Preto da Universidade de São Paulo. 2021 ; 37 [472].[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://www.forp.usp.br/wp-content/uploads/2022/01/Volume-37-43a-JORP-2021-reduzido.pdf