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  • Source: Nova Eletrônica. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      ZUFFO, João Antonio. Arseneto de galio: possibilidades do arseneto de galio. Terceira parte. Nova Eletrônica, v. 10, n. 114, p. 54-8, 1986Tradução . . Acesso em: 05 out. 2024.
    • APA

      Zuffo, J. A. (1986). Arseneto de galio: possibilidades do arseneto de galio. Terceira parte. Nova Eletrônica, 10( 114), 54-8.
    • NLM

      Zuffo JA. Arseneto de galio: possibilidades do arseneto de galio. Terceira parte. Nova Eletrônica. 1986 ;10( 114): 54-8.[citado 2024 out. 05 ]
    • Vancouver

      Zuffo JA. Arseneto de galio: possibilidades do arseneto de galio. Terceira parte. Nova Eletrônica. 1986 ;10( 114): 54-8.[citado 2024 out. 05 ]
  • Source: Dados e Ideias. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      ZUFFO, João Antonio. Cisc x risc. Dados e Ideias, v. 11, n. 101, p. 55-9, 1986Tradução . . Acesso em: 05 out. 2024.
    • APA

      Zuffo, J. A. (1986). Cisc x risc. Dados e Ideias, 11( 101), 55-9.
    • NLM

      Zuffo JA. Cisc x risc. Dados e Ideias. 1986 ;11( 101): 55-9.[citado 2024 out. 05 ]
    • Vancouver

      Zuffo JA. Cisc x risc. Dados e Ideias. 1986 ;11( 101): 55-9.[citado 2024 out. 05 ]
  • Source: Nova Eletronica. Unidade: EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO

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    • ABNT

      ZUFFO, João Antonio. Arseneto de galio: uma alternativa para o silício . Primeira parte. Nova Eletronica, v. 10, n. ju 1986, p. 26-30, 1986Tradução . . Acesso em: 05 out. 2024.
    • APA

      Zuffo, J. A. (1986). Arseneto de galio: uma alternativa para o silício . Primeira parte. Nova Eletronica, 10( ju 1986), 26-30.
    • NLM

      Zuffo JA. Arseneto de galio: uma alternativa para o silício . Primeira parte. Nova Eletronica. 1986 ;10( ju 1986): 26-30.[citado 2024 out. 05 ]
    • Vancouver

      Zuffo JA. Arseneto de galio: uma alternativa para o silício . Primeira parte. Nova Eletronica. 1986 ;10( ju 1986): 26-30.[citado 2024 out. 05 ]
  • Source: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      FERREIRA, L G e SIQUEIRA, M L. Application of the variational cellular method to semiconductors: the 'ZNS' case. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 313-23, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560300729. Acesso em: 05 out. 2024.
    • APA

      Ferreira, L. G., & Siqueira, M. L. (1986). Application of the variational cellular method to semiconductors: the 'ZNS' case. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 313-23. doi:10.1002/qua.560300729
    • NLM

      Ferreira LG, Siqueira ML. Application of the variational cellular method to semiconductors: the 'ZNS' case [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 313-23.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300729
    • Vancouver

      Ferreira LG, Siqueira ML. Application of the variational cellular method to semiconductors: the 'ZNS' case [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 313-23.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300729
  • Source: Anais. Conference titles: Congresso Científico de Pós-Graduação. Unidade: IFQSC

    Subjects: REFRIGERAÇÃO, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      ASSIS, O B G e SCALVI, L V A e MOKROSS, Bernhard Joachim. Ligas semicondutoras para geracao de potencia termoeletrica e refrigeracao. 1986, Anais.. Sao Carlos: Apg, 1986. . Acesso em: 05 out. 2024.
    • APA

      Assis, O. B. G., Scalvi, L. V. A., & Mokross, B. J. (1986). Ligas semicondutoras para geracao de potencia termoeletrica e refrigeracao. In Anais. Sao Carlos: Apg.
    • NLM

      Assis OBG, Scalvi LVA, Mokross BJ. Ligas semicondutoras para geracao de potencia termoeletrica e refrigeracao. Anais. 1986 ;[citado 2024 out. 05 ]
    • Vancouver

      Assis OBG, Scalvi LVA, Mokross BJ. Ligas semicondutoras para geracao de potencia termoeletrica e refrigeracao. Anais. 1986 ;[citado 2024 out. 05 ]

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