ReP USP - Resultado da busca

Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)
Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 19 out. 2024.
APA
Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
NLM
Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
Vancouver
Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
Relatorio tecnico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. . Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf. Acesso em: 19 out. 2024. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2020). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 19 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 19 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Apresentacao sonora/cenica/entrevista
Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] (2020)
Abramo, L. Raul ; Nussenzveig, Paulo
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, FOTÔNICA, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, FÍSICA, DIVULGAÇÃO CIENTÍFICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABRAMO, L. Raul e NUSSENZVEIG, Paulo. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento]. . São Paulo: USP. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be. Acesso em: 19 out. 2024. , 2020
APA
Abramo, L. R., & Nussenzveig, P. (2020). Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento]. São Paulo: USP. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
NLM
Abramo LR, Nussenzveig P. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 19 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
Vancouver
Abramo LR, Nussenzveig P. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 19 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
Artigo de periodico
Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation (2020)
Andrade, Marco Aurélio Brizzotti ; Ramos, Tiago S.; Adamowski, Júlio Cezar ; Marzo, Asier
Source: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Subjects: ACÚSTICA, ACÚSTICA, MICROELETRÔNICA, DINÂMICA DOS FLUÍDOS COMPUTACIONAL, MÉTODOS NUMÉRICOS EM DINÂMICA DE FLUÍDOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Marco Aurélio Brizzotti et al. Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation. Applied Physics Letters, v. 116, n. 5, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5138598. Acesso em: 19 out. 2024.
APA
Andrade, M. A. B., Ramos, T. S., Adamowski, J. C., & Marzo, A. (2020). Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation. Applied Physics Letters, 116( 5). doi:10.1063/1.5138598
NLM
Andrade MAB, Ramos TS, Adamowski JC, Marzo A. Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 5):[citado 2024 out. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5138598
Vancouver
Andrade MAB, Ramos TS, Adamowski JC, Marzo A. Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 5):[citado 2024 out. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5138598

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Subjects