Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
ABNT
ZASNICOFF, Luiz Sergio e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 set. 2024.APA
Zasnicoff, L. S., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.NLM
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]Vancouver
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]