Excitons ligados a impurezas doadoras em semicondutores (1990)
Unidade: IFSCSubjects: FÍSICA MATEMÁTICA, FÍSICA MODERNA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DE GROOTE, Jean Jacques Georges Soares. Excitons ligados a impurezas doadoras em semicondutores. 1990. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1990. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-12022015-144437/. Acesso em: 08 nov. 2025.APA
de Groote, J. J. G. S. (1990). Excitons ligados a impurezas doadoras em semicondutores (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, Sao Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-12022015-144437/NLM
de Groote JJGS. Excitons ligados a impurezas doadoras em semicondutores [Internet]. 1990 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-12022015-144437/Vancouver
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