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Autores USP
- fazzio, adalberto (~1)
- silva, luis gregorio godoy de vasconcellos dias da (~1)
Ano de publicação
- 2018 (~2)
Assuntos
- estrutura eletrônica (2)
- dispositivos eletrônicos (1)
- efeito hall (1)
- materiais nanoestruturados (1)
- propriedades dos materiais (1)

Trabalho de evento-resumo
III-Te 2D structures for optoelectronic devices (2018)
Olmos-Asar, Jimena Anahí; Fazzio, Adalberto ; Leao, Cedric Rocha
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro de Outono. Unidade: IF
Assuntos: ÓPTICA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLMOS-ASAR, Jimena Anahí e FAZZIO, Adalberto e LEAO, Cedric Rocha. III-Te 2D structures for optoelectronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Olmos-Asar, J. A., Fazzio, A., & Leao, C. R. (2018). III-Te 2D structures for optoelectronic devices. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
NLM
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Vancouver
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Tunable spin-polarized edge transport in inverted quantum well junctions (2018)
Nanclares, Dimy; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da; Lima, Leandro Romão Fernandes; Lewenkopf, Caio Henrique
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro de Outono. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NANCLARES, Dimy et al. Tunable spin-polarized edge transport in inverted quantum well junctions. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0099-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Nanclares, D., Silva, L. G. G. de V. D. da, Lima, L. R. F., & Lewenkopf, C. H. (2018). Tunable spin-polarized edge transport in inverted quantum well junctions. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0099-1.pdf
NLM
Nanclares D, Silva LGG de VD da, Lima LRF, Lewenkopf CH. Tunable spin-polarized edge transport in inverted quantum well junctions [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0099-1.pdf
Vancouver
Nanclares D, Silva LGG de VD da, Lima LRF, Lewenkopf CH. Tunable spin-polarized edge transport in inverted quantum well junctions [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0099-1.pdf

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