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Trabalho de evento-resumo
III-Te 2D structures for optoelectronic devices (2018)
Olmos-Asar, Jimena Anahí; Fazzio, Adalberto ; Leao, Cedric Rocha
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Outono. Unidade: IF
Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
OLMOS-ASAR, Jimena Anahí e FAZZIO, Adalberto e LEAO, Cedric Rocha. III-Te 2D structures for optoelectronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Olmos-Asar, J. A., Fazzio, A., & Leao, C. R. (2018). III-Te 2D structures for optoelectronic devices. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
NLM
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Vancouver
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Artigo de periodico
Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation (2015)
Miwa, R. H.; Kagimura, R.; Lima, Matheus P.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R. H. et al. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. 20, p. 205442, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Kagimura, R., Lima, M. P., & Fazzio, A. (2015). Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 91( 20), 205442. doi:10.1103/physrevb.91.205442
NLM
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Vancouver
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Artigo de periodico
Switching a normal insulator into a topological insulator via electric field with application to phosphorene (2015)
Liu, Qihang; Zhang, Xiuwen; Zunger, Alex; Abdalla, Leonardo Batoni; Fazzio, Adalberto
Source: NANO LETTERS. Unidade: IF
Subjects: SPINTRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LIU, Qihang et al. Switching a normal insulator into a topological insulator via electric field with application to phosphorene. NANO LETTERS, v. fe 2015, n. 2, p. 1222-1228, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/nl5043769. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Liu, Q., Zhang, X., Zunger, A., Abdalla, L. B., & Fazzio, A. (2015). Switching a normal insulator into a topological insulator via electric field with application to phosphorene. NANO LETTERS, fe 2015( 2), 1222-1228. doi:10.1021/nl5043769
NLM
Liu Q, Zhang X, Zunger A, Abdalla LB, Fazzio A. Switching a normal insulator into a topological insulator via electric field with application to phosphorene [Internet]. NANO LETTERS. 2015 ; fe 2015( 2): 1222-1228.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1021/nl5043769
Vancouver
Liu Q, Zhang X, Zunger A, Abdalla LB, Fazzio A. Switching a normal insulator into a topological insulator via electric field with application to phosphorene [Internet]. NANO LETTERS. 2015 ; fe 2015( 2): 1222-1228.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1021/nl5043769
Artigo de periodico
Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors (2015)
Seixas, L.; West, D.; Zhang, S. B.; Fazzio, Adalberto
Source: NATURE COMMUNICATIONS. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SEIXAS, L. et al. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors. NATURE COMMUNICATIONS, v. 6, p. 7630, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/ncomms8630. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Seixas, L., West, D., Zhang, S. B., & Fazzio, A. (2015). Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors. NATURE COMMUNICATIONS, 6, 7630. doi:10.1038/ncomms8630
NLM
Seixas L, West D, Zhang SB, Fazzio A. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors [Internet]. NATURE COMMUNICATIONS. 2015 ; 6 7630.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1038/ncomms8630
Vancouver
Seixas L, West D, Zhang SB, Fazzio A. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors [Internet]. NATURE COMMUNICATIONS. 2015 ; 6 7630.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1038/ncomms8630
Trabalho de evento-resumo
Nanotecnologia como geradora da inovação e a universidade como seu ambiente para a invenção (2015)
Fazzio, Adalberto
Source: SBF. Conference titles: Simpósio Nacional de Ensino de Física. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto. Nanotecnologia como geradora da inovação e a universidade como seu ambiente para a invenção. 2015, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxi/sys/resumos/T0150-19.pdf. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Fazzio, A. (2015). Nanotecnologia como geradora da inovação e a universidade como seu ambiente para a invenção. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxi/sys/resumos/T0150-19.pdf
NLM
Fazzio A. Nanotecnologia como geradora da inovação e a universidade como seu ambiente para a invenção [Internet]. SBF. 2015 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxi/sys/resumos/T0150-19.pdf
Vancouver
Fazzio A. Nanotecnologia como geradora da inovação e a universidade como seu ambiente para a invenção [Internet]. SBF. 2015 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxi/sys/resumos/T0150-19.pdf
Artigo de periodico
Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating (2015)
Padilha, J. E.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: PHYSICAL REVIEW LETTERS. Unidade: IF
Subjects: ELETROSTÁTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PADILHA, J. E. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating. PHYSICAL REVIEW LETTERS, v. fe 2015, n. 6, p. 066803, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Padilha, J. E., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2015). Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating. PHYSICAL REVIEW LETTERS, fe 2015( 6), 066803. doi:10.1103/PhysRevLett.114.066803
NLM
Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2015 ; fe 2015( 6): 066803.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803
Vancouver
Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2015 ; fe 2015( 6): 066803.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803
Artigo de periodico
Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory (2015)
Abdalla, Leonardo Batoni; Padilha, Jose E.; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: TOPOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 27, n. 25, p. 255501, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Abdalla, L. B., Padilha, J. E., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2015). Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 27( 25), 255501. doi:10.1088/0953-8984/27/25/255501
NLM
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501
Vancouver
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501
Trabalho de evento-resumo
Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono (2014)
Kirch, Alexsandro; Lima, M. P.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: SBF. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
KIRCH, Alexsandro et al. Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Kirch, A., Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2014). Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
NLM
Kirch A, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Vancouver
Kirch A, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Parte de monografia/livro
Transporte eletrônico no grafeno (2014)
Fazzio, Adalberto
Source: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, UNIVERSIDADE, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto. Transporte eletrônico no grafeno. Instituto de Física da USP aos oitenta anos. Tradução . São Paulo: Editora Livraria da Física, 2014. . . Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Fazzio, A. (2014). Transporte eletrônico no grafeno. In Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física.
NLM
Fazzio A. Transporte eletrônico no grafeno. In: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física; 2014. [citado 2025 nov. 06 ]
Vancouver
Fazzio A. Transporte eletrônico no grafeno. In: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física; 2014. [citado 2025 nov. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Caracterização topológica do germaneno funcionalizado: uma investigação de primeiros princípios. (2014)
Abdalla, Leonardo Batoni; Sousa, José Eduardo Padilha de; Fazzio, Adalberto
Source: SBF. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SPIN
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ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni e SOUSA, José Eduardo Padilha de e FAZZIO, Adalberto. Caracterização topológica do germaneno funcionalizado: uma investigação de primeiros princípios. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Abdalla, L. B., Sousa, J. E. P. de, & Fazzio, A. (2014). Caracterização topológica do germaneno funcionalizado: uma investigação de primeiros princípios. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
NLM
Abdalla LB, Sousa JEP de, Fazzio A. Caracterização topológica do germaneno funcionalizado: uma investigação de primeiros princípios. [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Vancouver
Abdalla LB, Sousa JEP de, Fazzio A. Caracterização topológica do germaneno funcionalizado: uma investigação de primeiros princípios. [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Relatorio tecnico
Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations (2013)
Lima, Matheus P; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LIMA, Matheus P e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1312.3344v1.pdf. Acesso em: 06 nov. 2025. , 2013
APA
Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2013). Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1312.3344v1.pdf
NLM
Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1312.3344v1.pdf
Vancouver
Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1312.3344v1.pdf
Relatorio tecnico
Spin caloritronics in graphene with Mn (2013)
Torres, Alberto; Lima, Matheus P; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SPIN
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ABNT
TORRES, Alberto et al. Spin caloritronics in graphene with Mn. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1305.0316v2.pdf. Acesso em: 06 nov. 2025. , 2013
APA
Torres, A., Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2013). Spin caloritronics in graphene with Mn. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1305.0316v2.pdf
NLM
Torres A, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Spin caloritronics in graphene with Mn [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1305.0316v2.pdf
Vancouver
Torres A, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Spin caloritronics in graphene with Mn [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1305.0316v2.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry (2013)
Schmidt, Tome; Anversa, Jonas; Piquini, Paulo; Fazzio, Adalberto
Source: Abstracts. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tome et al. Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry. Abstracts. Maryland,: APS. Disponível em: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf. Acesso em: 06 nov. 2025. , 2013
APA
Schmidt, T., Anversa, J., Piquini, P., & Fazzio, A. (2013). Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry. Abstracts. Maryland,: APS. Recuperado de http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf
NLM
Schmidt T, Anversa J, Piquini P, Fazzio A. Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf
Vancouver
Schmidt T, Anversa J, Piquini P, Fazzio A. Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf
Artigo de periodico
Electronic transport in patterned graphene nanoroads (2013)
Almeida, J M de; Rocha, A R; Singh, Abhshek K; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALMEIDA, J M de et al. Electronic transport in patterned graphene nanoroads. Nanotechnology, v. 24, n. 49, p. 495201/1-495201/6, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/49/495201. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Almeida, J. M. de, Rocha, A. R., Singh, A. K., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2013). Electronic transport in patterned graphene nanoroads. Nanotechnology, 24( 49), 495201/1-495201/6. doi:10.1088/0957-4484/24/49/495201
NLM
Almeida JM de, Rocha AR, Singh AK, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic transport in patterned graphene nanoroads [Internet]. Nanotechnology. 2013 ; 24( 49): 495201/1-495201/6.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/49/495201
Vancouver
Almeida JM de, Rocha AR, Singh AK, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic transport in patterned graphene nanoroads [Internet]. Nanotechnology. 2013 ; 24( 49): 495201/1-495201/6.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/49/495201
Trabalho de evento-resumo periodico
Bilayer Silicene: a first principles investigation (2013)
Pontes, Renato Borges; Padilha, José Eduardo; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Abstracts. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PONTES, Renato Borges et al. Bilayer Silicene: a first principles investigation. Abstracts. Maryland,: APS. Disponível em: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-006636.pdf. Acesso em: 06 nov. 2025. , 2013
APA
Pontes, R. B., Padilha, J. E., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2013). Bilayer Silicene: a first principles investigation. Abstracts. Maryland,: APS. Recuperado de http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-006636.pdf
NLM
Pontes RB, Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Bilayer Silicene: a first principles investigation [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-006636.pdf
Vancouver
Pontes RB, Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Bilayer Silicene: a first principles investigation [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-006636.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Electronic Structure calculations in a 2D SixGe1-x alloy under an applied electric field (2013)
Padilha, José Eduardo; Pontes, Renato Borges; Seixas, Leandro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Abstracts. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PADILHA, José Eduardo et al. Electronic Structure calculations in a 2D SixGe1-x alloy under an applied electric field. Abstracts. Maryland,: APS. Disponível em: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-007425.pdf. Acesso em: 06 nov. 2025. , 2013
APA
Padilha, J. E., Pontes, R. B., Seixas, L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2013). Electronic Structure calculations in a 2D SixGe1-x alloy under an applied electric field. Abstracts. Maryland,: APS. Recuperado de http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-007425.pdf
NLM
Padilha JE, Pontes RB, Seixas L, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic Structure calculations in a 2D SixGe1-x alloy under an applied electric field [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-007425.pdf
Vancouver
Padilha JE, Pontes RB, Seixas L, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic Structure calculations in a 2D SixGe1-x alloy under an applied electric field [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-007425.pdf
Artigo de periodico
Ab-initio calculations for a realistic sensor: a study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes (2012)
Souza, Amaury de Melo; Rocha, A R; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: AIP Advances. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Amaury de Melo et al. Ab-initio calculations for a realistic sensor: a study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes. AIP Advances, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4739280. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Souza, A. de M., Rocha, A. R., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2012). Ab-initio calculations for a realistic sensor: a study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes. AIP Advances. doi:10.1063/1.4739280
NLM
Souza A de M, Rocha AR, Fazzio A, Silva AJR da. Ab-initio calculations for a realistic sensor: a study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes [Internet]. AIP Advances. 2012 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4739280
Vancouver
Souza A de M, Rocha AR, Fazzio A, Silva AJR da. Ab-initio calculations for a realistic sensor: a study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes [Internet]. AIP Advances. 2012 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4739280
Relatorio tecnico
Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations (2011)
Almeida, J M de; Rocha, A R; Silva, Antonio J R da; Fazzio, Adalberto
Unidades: IF, IEB
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALMEIDA, J M de et al. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf. Acesso em: 06 nov. 2025. , 2011
APA
Almeida, J. M. de, Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf
NLM
Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations [Internet]. 2011 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf
Vancouver
Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations [Internet]. 2011 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Gas sensors based on n-doped carbon nanotubes: ab initio electronic transport calculations (2010)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto ; Souza, Amaury de Melo; Rocha, Alexandre Reily
Source: Resumo. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Gas sensors based on n-doped carbon nanotubes: ab initio electronic transport calculations. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Souza, A. de M., & Rocha, A. R. (2010). Gas sensors based on n-doped carbon nanotubes: ab initio electronic transport calculations. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Souza A de M, Rocha AR. Gas sensors based on n-doped carbon nanotubes: ab initio electronic transport calculations [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Souza A de M, Rocha AR. Gas sensors based on n-doped carbon nanotubes: ab initio electronic transport calculations [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html
Trabalho de evento-resumo
How to differentiate edge states of graphene nanoribbons with STM: um estudo de dinâmica molecular ab initio (2010)
Torres, Alberto; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumo. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Alberto e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. How to differentiate edge states of graphene nanoribbons with STM: um estudo de dinâmica molecular ab initio. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Torres, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2010). How to differentiate edge states of graphene nanoribbons with STM: um estudo de dinâmica molecular ab initio. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html
NLM
Torres A, Fazzio A, Silva AJR da. How to differentiate edge states of graphene nanoribbons with STM: um estudo de dinâmica molecular ab initio [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html
Vancouver
Torres A, Fazzio A, Silva AJR da. How to differentiate edge states of graphene nanoribbons with STM: um estudo de dinâmica molecular ab initio [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2025 nov. 06 ] Available from: http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html

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