Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ELETRÔNICA QUÂNTICA
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ABNT
CAVALHEIRO, Ademir. O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/. Acesso em: 04 nov. 2025.APA
Cavalheiro, A. (2001). O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/NLM
Cavalheiro A. O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira [Internet]. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/Vancouver
Cavalheiro A. O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira [Internet]. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/
