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Artigo de periodico
Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study (2009)
Arantes, José Tadeu; Lima, M P; Fazzio, Adalberto ; Xiang, H; Wei, Su-Huai; Dalpian, Gustavo Martini
Source: Journal of Physical Chemistry B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
ARANTES, José Tadeu et al. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, v. 113, n. 16, p. 5376-5380, 2009Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Arantes, J. T., Lima, M. P., Fazzio, A., Xiang, H., Wei, S. -H., & Dalpian, G. M. (2009). Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, 113( 16), 5376-5380. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
NLM
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Vancouver
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Trabalho de evento-resumo
Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals (2009)
Schoenhalz, A L; Arantes, José Tadeu; Fazzio, Adalberto ; Dalpian, Gustavo Martini
Source: Resumos. Conference titles: International Conference on Advanced Materias. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCHOENHALZ, A L et al. Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals. 2009, Anais.. Rio de Janeiro: ICAM, 2009. Disponível em: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schoenhalz, A. L., Arantes, J. T., Fazzio, A., & Dalpian, G. M. (2009). Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals. In Resumos. Rio de Janeiro: ICAM. Recuperado de http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf
NLM
Schoenhalz AL, Arantes JT, Fazzio A, Dalpian GM. Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf
Vancouver
Schoenhalz AL, Arantes JT, Fazzio A, Dalpian GM. Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf
Artigo de periodico
Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations (2009)
Pontes, Renato Borges; Fazzio, Adalberto ; Dalpian, Gustavo Martini
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PONTES, Renato Borges e FAZZIO, Adalberto e DALPIAN, Gustavo Martini. Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations. Physical Review B, v. 79, n. 3, p. 033412-1/033412-4, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.033412. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pontes, R. B., Fazzio, A., & Dalpian, G. M. (2009). Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations. Physical Review B, 79( 3), 033412-1/033412-4. doi:10.1103/physrevb.79.033412
NLM
Pontes RB, Fazzio A, Dalpian GM. Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 3): 033412-1/033412-4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.033412
Vancouver
Pontes RB, Fazzio A, Dalpian GM. Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 3): 033412-1/033412-4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.033412
Artigo de periodico
Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2002)
Dalpian, Gustavo Martini ; Venezuela, Pedro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, v. 81, n. 8, p. 3383-3385, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, 81( 8), 3383-3385. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos (2001)
Venezuela, Pedro; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, Pedro et al. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy (2001)
Venezuela, P; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy. Physical Review B, v. 64, n. 19, p. 3202/1-3202/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy. Physical Review B, 64( 19), 3202/1-3202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 19): 3202/1-3202/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 19): 3202/1-3202/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips

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