Tunable spin-polarized edge transport in inverted quantum well junctions (2018)
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro de Outono. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, EFEITO HALL
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ABNT
NANCLARES, Dimy et al. Tunable spin-polarized edge transport in inverted quantum well junctions. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0099-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2025.APA
Nanclares, D., Silva, L. G. G. de V. D. da, Lima, L. R. F., & Lewenkopf, C. H. (2018). Tunable spin-polarized edge transport in inverted quantum well junctions. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0099-1.pdfNLM
Nanclares D, Silva LGG de VD da, Lima LRF, Lewenkopf CH. Tunable spin-polarized edge transport in inverted quantum well junctions [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0099-1.pdfVancouver
Nanclares D, Silva LGG de VD da, Lima LRF, Lewenkopf CH. Tunable spin-polarized edge transport in inverted quantum well junctions [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0099-1.pdf
