Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031. Acesso em: 08 nov. 2025.APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Poças, L. C., Toginho Filho, D. O., & Leite, J. R. (2004). Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000300031NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
