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Artigo de periodico
Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials (2018)
Guilhon, Ivan; Koda, Daniel S; Ferreira, Luiz Guimarães; Marques, Marcelo; Teles, Lara Kuhl
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, FILMES FINOS
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ABNT
GUILHON, Ivan et al. Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials. Physical Review B, v. 97, n. 4, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.97.045426. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Guilhon, I., Koda, D. S., Ferreira, L. G., Marques, M., & Teles, L. K. (2018). Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials. Physical Review B, 97( 4). doi:10.1103/physrevb.97.045426
NLM
Guilhon I, Koda DS, Ferreira LG, Marques M, Teles LK. Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 4):[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.97.045426
Vancouver
Guilhon I, Koda DS, Ferreira LG, Marques M, Teles LK. Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 4):[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.97.045426
Trabalho de evento-resumo
Memory effects in transport of two-dimensional electrons constrained to move in random topographies (2005)
Choque, Nilo Mauricio Sotomayor; Rocha Neto, José Francisco da; Gusev, Guennadii Michailovich
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE
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ABNT
CHOQUE, Nilo Mauricio Sotomayor e ROCHA NETO, José Francisco da e GUSEV, Guennadii Michailovich. Memory effects in transport of two-dimensional electrons constrained to move in random topographies. 2005, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0412-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Choque, N. M. S., Rocha Neto, J. F. da, & Gusev, G. M. (2005). Memory effects in transport of two-dimensional electrons constrained to move in random topographies. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0412-1.pdf
NLM
Choque NMS, Rocha Neto JF da, Gusev GM. Memory effects in transport of two-dimensional electrons constrained to move in random topographies [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0412-1.pdf
Vancouver
Choque NMS, Rocha Neto JF da, Gusev GM. Memory effects in transport of two-dimensional electrons constrained to move in random topographies [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0412-1.pdf
Artigo de periodico
Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers (2004)
Ruini, Alice; Ferretti, Andrea; Bussi, Giovanni; Molinari, Elisa; Caldas, Marilia Junqueira
Source: Semicondutor Science and Technology. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTIVIDADE, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
RUINI, Alice et al. Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers. Semicondutor Science and Technology, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/4/119. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Ruini, A., Ferretti, A., Bussi, G., Molinari, E., & Caldas, M. J. (2004). Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers. Semicondutor Science and Technology. doi:10.1088/0268-1242/19/4/119
NLM
Ruini A, Ferretti A, Bussi G, Molinari E, Caldas MJ. Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers [Internet]. Semicondutor Science and Technology. 2004 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/4/119
Vancouver
Ruini A, Ferretti A, Bussi G, Molinari E, Caldas MJ. Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers [Internet]. Semicondutor Science and Technology. 2004 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/4/119
Artigo de periodico
Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well (2003)
Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE
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ABNT
SÉRGIO, C. S. et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 763-766, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 763-766. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Trabalho de evento-resumo
The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well (2001)
Cavalheiro, Ademir; Takahashi, Eduardo Kojy; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; MENESES, Eliermes Arraes
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 07 ]
Vancouver
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 07 ]

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